[发明专利]背照式图像传感器

说明书

本发明题为“背照式图像传感器”。本发明提供了图像传感器设备，所述图像传感器设备的实施方式可以包括穿透硅通孔TSV，所述穿透硅通孔在图像传感器设备的后侧中形成并且通过管芯的材料延伸到金属着落垫。所述金属着落垫可以在接触层内。所述设备可以包括TSV边缘密封环，所述TSV边缘密封环围绕在所述接触层中的所述TSV的一部分并且从所述接触层的第一表面延伸到所述接触层中达到与所述TSV的深度共同延伸的深度。

技术领域

本文档的各方面整体涉及图像传感器，诸如背照式图像传感器。更具体的实施方式涉及具有穿透硅通孔的背照式传感器。

背景技术

图像传感器通过响应于入射电磁辐射传送信号来传达与图像有关的信息。图像传感器用于多种设备中，包括智能电话、数码相机、夜视设备、医疗成像器和许多其他设备。背照式图像传感器可以用于提高图像传感器的光接收效率，特别是针对特定光波长。

发明内容

图像传感器设备的实施方式可以包括穿透硅通孔(TSV)，该穿透硅通孔在图像传感器设备的后侧中形成并且通过管芯的材料延伸到金属着落垫。金属着落垫可以在接触层内。设备可以包括TSV边缘密封环，该TSV边缘密封环围绕在接触层中的TSV的一部分并且从接触层的第一表面延伸到接触层中达到与TSV的深度共同延伸的深度。

图像传感器设备的实施方式可包括以下各项中的一者、全部或任一者：

TSV边缘密封环可以包括钨。

TSV边缘密封环可以与金属着落垫物理隔离。

该设备可以包括直接耦接到TSV的一个或多个侧壁的钉扎层。

该设备可以包括耦接到TSV的一个或多个侧壁的抗反射层。

图像传感器设备的实施方式可以包括穿透硅通孔(TSV)，该穿透硅通孔在图像传感器设备的后侧中形成并且通过管芯的材料延伸到金属着落垫。金属着落垫可以在接触层内。该设备可以包括TSV边缘密封环，该TSV边缘密封环围绕在接触层中的TSV的一部分并且从接触层的第一表面延伸到金属着落垫。

TSV边缘密封环可以直接耦接到扩散阻挡层。

TSV边缘密封环可以直接耦接到一个或多个浅沟槽隔离(STI)区域。

图像传感器设备的实施方式可以包括：第一穿透硅通孔(TSV)，该第一穿透硅通孔在图像传感器设备中形成，从图像传感器设备的后侧延伸到管芯的材料中到达接触层；第二TSV，该第二TSV在第一TSV内形成并且延伸到管芯的材料中到达金属着落垫，其中金属着落垫在接触层内；和TSV边缘密封环，该TSV边缘密封环在接触层内，围绕接触层中的第二TSV，并且从接触层的第一表面延伸到接触层中达到与第二TSV的深度共同延伸的深度。

TSV边缘密封环可以包括钨。

TSV边缘密封环可以直接耦接到金属着落垫。

TSV边缘密封环可以与金属着落垫物理隔离。

该设备可以包括直接耦接到第一TSV的一个或多个侧壁的钉扎层。

该设备可以包括耦接到第一TSV的一个或多个侧壁的抗反射层。

TSV边缘密封环的周边可以与第一TSV的周边对准。

TSV边缘密封环的周边可以大于第一TSV的周边。

TSV边缘密封环的周边可以小于第一TSV的周边。

TSV边缘密封环可以直接耦接到扩散阻挡层。

TSV边缘密封环可以直接耦接到一个或多个浅沟槽隔离(STI)区域。