[发明专利]背照式图像传感器在审
| 申请号： | 201910526025.8 | 申请日： | 2019-06-18 |
| 公开（公告）号： | CN110634896A | 公开（公告）日： | 2019-12-31 |
| 发明（设计）人： | J·P·甘比诺;R·热罗姆;D·T·普里斯 | 申请（专利权）人： | 半导体组件工业公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 11287 北京律盟知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 章蕾 |
| 地址： | 美国亚*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 接触层 图像传感器设备 边缘密封环 穿透硅通孔 着落垫 延伸 背照式图像传感器 金属 第一表面 管芯 | ||
1.一种图像传感器设备，包括：
穿透硅通孔TSV，所述穿透硅通孔在图像传感器设备的后侧中形成并且通过管芯的材料延伸到金属着落垫，其中所述金属着落垫在接触层内；和
TSV边缘密封环，所述TSV边缘密封环在所述接触层中围绕所述TSV的一部分并且从所述接触层的第一表面延伸到所述接触层中达到与所述TSV的深度共同延伸的深度。
2.根据权利要求1所述的图像传感器设备，其中所述TSV边缘密封环直接耦接到所述金属着落垫。
3.根据权利要求1所述的图像传感器设备，其中所述TSV边缘密封环与所述金属着落垫物理隔离。
4.根据权利要求1所述的图像传感器设备，还包括直接耦接到所述TSV的一个或多个侧壁的钉扎层。
5.一种图像传感器设备，包括：
穿透硅通孔TSV，所述穿透硅通孔在图像传感器设备的后侧中形成并且通过管芯的材料延伸到金属着落垫，其中所述金属着落垫在接触层内；和
TSV边缘密封环，所述TSV边缘密封环围绕在所述接触层中的所述TSV的一部分并且从所述接触层的第一表面延伸到所述金属着落垫。
6.根据权利要求5所述的图像传感器设备，其中所述TSV边缘密封环直接耦接到扩散阻挡层。
7.根据权利要求5所述的图像传感器设备，其中所述TSV边缘密封环直接耦接到一个或多个浅沟槽隔离STI区域。
8.一种图像传感器设备，包括：
第一穿透硅通孔TSV，所述第一穿透硅通孔在图像传感器设备中形成，从所述图像传感器设备的后侧延伸到管芯的材料中到达接触层；
第二TSV，所述第二TSV在所述第一TSV内形成并且延伸到所述管芯的所述材料中到达金属着落垫，其中所述金属着落垫在接触层内；和
TSV边缘密封环，所述TSV边缘密封环在所述接触层内，围绕所述接触层中的所述第二TSV，并且从所述接触层的第一表面延伸到所述接触层中达到与所述第二TSV的深度共同延伸的深度。
9.根据权利要求8所述的图像传感器设备，其中所述TSV边缘密封环直接耦接到所述金属着落垫。
10.根据权利要求8所述的图像传感器设备，其中所述TSV边缘密封环与所述金属着落垫物理隔离。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
