[发明专利]存储器及其形成方法

权利要求书

1.一种存储器的形成方法，其特征在于，包括：

提供基底，所述基底包括衬底、位于所述衬底表面的存储堆叠结构、覆盖所述存储堆叠结构的介质层、贯穿所述介质层以及堆叠结构的共源极槽，所述存储堆叠结构包括阵列区域和围绕所述阵列区域的台阶区域，覆盖所述台阶区域的介质层表面具有凹陷，所述凹陷底部低于覆盖所述阵列区域的介质层表面；

形成填充满所述共源极槽且覆盖所述介质层的导电层；

对所述导电层进行第一平坦化处理，暴露出所述凹陷以外的介质层的表面；

对暴露的所述介质层进行各向异性刻蚀，使得暴露的所述介质层表面低于所述凹陷的底部；

进行第二平坦化处理，直至去除残留于所述凹陷内的导电层。

2.根据权利要求1所述的存储器的形成方法，其特征在于，所述基底的形成方法包括：

提供衬底；

在所述衬底表面形成具有阵列区域和台阶区域的堆叠结构，所述堆叠结构包括交底堆叠的绝缘层和牺牲层；

形成贯穿所述阵列区域的若干沟道孔结构以及贯穿所述台阶区域的若干伪沟道孔结构；

形成覆盖所述堆叠结构的介质层；

形成贯穿所述介质层和堆叠结构的共源极槽；

沿所述共源极槽去除所述牺牲层，在相邻绝缘层之间形成开口；

在所述开口内形成控制栅结构；

上述步骤产生的应力使得覆盖所述台阶区域的介质层表面产生凹陷，所述凹陷底部低于覆盖所述阵列区域的介质层表面。

3.根据权利要求1所述的存储器的形成方法，其特征在于，形成填充满所述共源极槽且覆盖所述介质层的导电层包括：形成填充所述共源极槽的第一导电层，所述第一导电层的顶面低于所述介质层的表面；在所述第一导电层表面形成填充于所述共源极槽且覆盖所述介质层表面的第二导电层。

4.根据权利要求3所述的存储器的形成方法，其特征在于，所述第一导电层材料为多晶硅，所述第二导电层材料为金属。

5.根据权利要求1所述的存储器的形成方法，其特征在于，采用干法刻蚀工艺对所述介质层进行各向异性刻蚀，刻蚀后的介质层表面与所述共源极槽内的导电层侧壁之间产生一间隙。

6.根据权利要求1所述的存储器的形成方法，其特征在于，所述介质层包括至少覆盖所述堆叠结构的台阶区域的第一隔离层，以及覆盖所述堆叠结构的阵列区域以及所述第一隔离层的第二隔离层。

7.一种存储器，其特征在于，包括：

衬底；

位于所述衬底表面的存储堆叠结构，所述存储堆叠结构包括阵列区域和围绕所述阵列区域的台阶区域；

覆盖所述存储堆叠结构的介质层，覆盖所述存储堆叠结构的阵列区域的介质层具有至少经过各向异性刻蚀后的刻蚀表面，至少部分覆盖所述存储堆叠结构的台阶区域的介质层具有化学机械平坦化处理后的研磨表面；

贯穿所述介质层以及所述存储堆叠结构的共源极槽以及填充所述共源极槽的导电层。

8.根据权利要求7所述的存储器，其特征在于，所述存储堆叠结构包括交替堆叠的绝缘层和控制栅结构；所述存储器还包括：贯穿所述存储堆叠结构的阵列区域的若干沟道孔结构以及贯穿所述存储堆叠结构的台阶区域的若干伪沟道孔结构。

9.根据权利要求7所述的存储器，其特征在于，所述导电层包括第一导电层和位于所述第一导电层顶部的第二导电层。

10.根据权利要求9所述的存储器，其特征在于，所述第一导电层材料为多晶硅，所述第二导电层材料为金属。

11.根据权利要求7所述的存储器，其特征在于，覆盖阵列区域的介质层表面与所述共源极槽内的导电层侧壁之间具有一间隙。

12.根据权利要求7所述的存储器，其特征在于，所述介质层包括至少覆盖所述存储堆叠结构的台阶区域的第一隔离层，以及覆盖所述存储堆叠结构的阵列区域以及所述第一隔离层的第二隔离层。