[发明专利]用于减少等离子体蚀刻腔室中的污染的设备在审

专利信息
申请号: 201910524333.7 申请日: 2019-06-17
公开(公告)号: CN110610844A 公开(公告)日: 2019-12-24
发明(设计)人: X·常;A·恩古耶 申请(专利权)人: 应用材料公司
主分类号: H01J37/32 分类号: H01J37/32;H01L21/67;H01L21/683;H01L21/687
代理公司: 31100 上海专利商标事务所有限公司 代理人: 侯颖媖;张鑫
地址: 美国加利*** 国省代码: 美国;US
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摘要:
搜索关键词: 衬里 接地外壳 基板支撑件 金属紧固件 上唇缘 导电材料 绝缘体环 工艺配件 向内 穿过 延伸 覆盖
【权利要求书】:

1.一种基板支撑件,包括:

主体;

接地外壳,所述接地外壳由围绕所述主体设置的导电材料形成;

衬里,所述衬里由围绕所述接地外壳设置的导电材料形成,其中所述衬里包括朝向所述主体向内延伸的上唇缘;

金属紧固件,所述金属紧固件穿过所述上唇缘设置并且将所述衬里耦接到所述接地外壳;以及

第一绝缘体环,所述第一绝缘体环设置在所述衬里的所述上唇缘顶上并且覆盖所述金属紧固件。

2.如权利要求1所述的基板支撑件,进一步包括第二绝缘体环,所述第二绝缘体环设置在所述第一绝缘体环与所述主体之间。

3.如权利要求2所述的基板支撑件,其中所述第一绝缘体环的外径与所述第二绝缘体环的外径相同。

4.如权利要求2所述的基板支撑件,其中所述第一绝缘体环的外径大于所述第二绝缘体环的外径。

5.如权利要求2所述的基板支撑件,其中顶环设置在所述第二绝缘体环的上表面上。

6.如权利要求2所述的基板支撑件,其中所述第二绝缘体环设置在所述第一绝缘体环的带凹口的上内周缘中。

7.如权利要求2所述的基板支撑件,其中所述第二绝缘体环包含石英。

8.如权利要求1至7中任一项所述的基板支撑件,其中所述第一绝缘体环包括石英、氧化铝、阳极化铝或用氧化钇涂覆的铝中的至少一种。

9.如权利要求1至7中任一项所述的基板支撑件,其中所述第一绝缘体环具有L形横截面。

10.如权利要求1至7中任一项所述的基板支撑件,进一步包括绝缘体外壳,所述绝缘体外壳设置在所述接地外壳与所述主体之间,其中所述绝缘体外壳使所述接地外壳与所述主体电绝缘。

11.如权利要求1至7中任一项所述的基板支撑件,其中所述金属紧固件包括螺杆。

12.如权利要求2至7中任一项所述的基板支撑件,其中所述第一绝缘体环包括第一部分和第二部分,并且所述第二部分设置在所述第二绝缘体环的带凹口的下外周缘中。

13.如权利要求2至7中任一项所述的基板支撑件,其中所述第一绝缘体环和所述第二绝缘体环具有在所述第一绝缘体环和所述第二绝缘体环之间的非线性界面。

14.如权利要求2至7中任一项所述的基板支撑件,进一步包括顶环,所述顶环设置在所述第二绝缘体环的顶表面顶上。

15.如权利要求1至7中任一项所述的基板支撑件,其中所述第一绝缘体环包括石英、氧化铝、阳极化铝或用氧化钇涂覆的铝中的至少一种。

16.如权利要求1至7中任一项所述的基板支撑件,进一步包括介电构件,所述介电构件设置在所述基板支撑件的所述主体上,其中所述介电构件包括唇缘,所述唇缘从所述介电构件的底部部分径向向外延伸。

17.如权利要求16所述的基板支撑件,进一步包括插环,所述插环部分地设置在所述介电构件的所述唇缘上。

18.如权利要求17所述的基板支撑件,其中所述插环部分地设置在突出部上,所述突出部围绕所述第二绝缘体环的上内缘设置。

19.如权利要求18所述的基板支撑件,其中所述突出部与所述介电构件的所述唇缘齐平或在所述介电构件的所述唇缘上方。

20.一种工艺腔室,包括:

腔室主体,所述腔室主体具有设置在所述腔室主体中的基板支撑件,其中所述基板支撑件如前述权利要求中任一项所述。

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