[发明专利]无铅多重卤化物钙钛矿型晶体材料及其制备和应用在审
申请号: | 201910519316.4 | 申请日: | 2019-06-17 |
公开(公告)号: | CN110282657A | 公开(公告)日: | 2019-09-27 |
发明(设计)人: | 杜克钊;林洋彭 | 申请(专利权)人: | 福建师范大学 |
主分类号: | C01G29/00 | 分类号: | C01G29/00;C01G30/00;H01L33/50 |
代理公司: | 福州君诚知识产权代理有限公司 35211 | 代理人: | 戴雨君 |
地址: | 350108 福建省福州*** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 卤化物钙钛矿 无铅 晶体材料 制备和应用 三价金属 三维框架结构 白光LED器件 晶体结构 宽带发射 荧光寿命 阳离子 阴离子 铯离子 空位 二价 三维 应用 | ||
1.无铅多重卤化物钙钛矿型晶体材料,其特征在于:其具有如下通式:Cs4CdX2Cl12 ,其中X为+3价态的金属元素。
2.根据权利要求1所述的无铅多重卤化物钙钛矿型晶体材料,其特征在于:X为Bi或Sb。
3.根据权利要求2所述的无铅多重卤化物钙钛矿型晶体材料的制备方法,其特征在于:制备方法为:当目标晶体为Cs4CdSb2Cl12晶体时,其制备方法为:将氯化铯、氯化锑、氯化镉、盐酸加入聚四氟乙烯内衬的高压反应釜中,控温反应,反应完成得到Cs4CdSb2Cl12晶体;
当目标晶体为Cs4CdBi2Cl12晶体时,其制备方法为:将氯化铯、氯化铋、氯化镉、盐酸加入聚四氟乙烯内衬的高压反应釜中,控温反应,反应完成得到Cs4CdBi2Cl12晶体。
4.根据权利要求3所述的无铅多重卤化物钙钛矿型晶体材料的制备方法,其特征在于:制备Cs4CdSb2Cl12晶体时氯化铯、氯化锑、氯化镉最优的摩尔比为4:2:1;制备Cs4CdBi2Cl12晶体时氯化铯、氯化铋、氯化镉最优的摩尔比为4:2:1。
5.根据权利要求3所述的无铅多重卤化物钙钛矿型晶体材料的制备方法,其特征在于:制备方法中的控温反应最高温度为:85~220℃,恒温时间为0.5~10天,起始温度与终了温度选自20~40℃。
6.根据权利要求3所述的无铅多重卤化物钙钛矿型晶体材料的制备方法,其特征在于:制备方法中的二价镉离子用二价金属离子代替,二价金属离子为锰、钴、镍、锌、铜、镁、钙或钡。
7.根据权利要求3所述的无铅多重卤化物钙钛矿型晶体材料的制备方法,其特征在于:制备方法中的三价锑/铋离子用三价金属离子代替,三价金属离子为铝、镓、铟或铁。
8.根据权利要求3所述的无铅多重卤化物钙钛矿型晶体材料的制备方法,其特征在于:制备方法中的金属氯盐用相关离子的氧化物代替,铯、锑/铋、镉最优的原子摩尔比为4:2:1。
9.根据权利要求3所述的无铅多重卤化物钙钛矿型晶体材料的制备方法,其特征在于:制备方法中的盐酸浓度范围为30%~37%,每100mg固体原料使用体积量为1~7 mL。
10.根据权利要求1所述的无铅多重卤化物钙钛矿型晶体材料在白光LED器件上的应用。
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