[发明专利]封装结构及其制造方法

权利要求书

1.一种封装结构，包括：

基板；

盖体，配置于该基板上，该盖体与该基板定义出容纳空间，该盖体包括邻接的顶部分与侧壁部分，该顶部分及该侧壁部分的内表面之间的夹角并不限于直角；

导电图案，配置于该盖体被该容纳空间露出的内表面上，该导电图案包括互相分开的信号导电线路及导电屏蔽层，该信号导电线路及导电屏蔽层沿该盖体的顶部分及侧壁部分的内表面延伸并电性连接至该基板；以及

感测组件，接着于该盖体的该内表面上，并电性连接至该信号导电线路，

其中该盖体为高分子聚合物材料混合电磁波防护材料。

2.如权利要求1所述的封装结构，其特征在于，更包括芯片，其与该感测组件分别配置在该容纳空间中的相同或不同的表面上。

3.如权利要求1所述的封装结构，其特征在于，该基板包括导电接垫，该封装结构更包括导电接合件，该导电接合件物性并电性连接该导电接垫与该信号导电线路。

4.如权利要求1所述的封装结构，其特征在于，该导电屏蔽层电性绝缘于该感测组件。

5.如权利要求1所述的封装结构，其特征在于，该感测组件包括麦克风芯片或压力传感器。

6.如权利要求1所述的封装结构，其特征在于，更包括封装体，至少封装该基板的上表面与该盖体的外表面的邻接处。

7.如权利要求1所述的封装结构，其特征在于，该盖体具有通孔连通容纳空间与外部空间。

8.如权利要求1所述的封装结构，其特征在于，该电磁波防护材料包括玻璃纤维、氧化铁(Fe₂O₃或Fe₃O₄)、铁镍合金、铁镁合金；锌锰铁氧体(MnZn)、镍锌铁氧体(NiZn)、镍铁氧体、钴镍铁氧体、锶铁氧体、钴铁氧、钡铁氧、碳化硅(SiC)、氧化硅(SiO₂)、氮化硅(Si₃N₄)、或上述的组合。

9.如权利要求1所述的封装结构，其特征在于，该顶部分及该侧壁部分的内表面之间的夹角为钝角。

10.一种封装结构的制造方法，包括：

提供盖体，该盖体包括邻接的顶部分与侧壁部分，该顶部分及该侧壁部分的内表面之间的夹角并不限于直角，该盖体定义出容纳空间，该盖体为高分子聚合物材料混合电磁波防护材料；

形成互相分开的信号导电线路及导电屏蔽层于该盖体被该容纳空间露出的内表面上，该信号导电线路及导电屏蔽层沿该盖体的顶部分及侧壁部分的内表面延伸；

接着感测组件于该盖体的该内表面上，并电性连接至该信号导电线路；以及

配置该盖体至基板上，其中该容纳空间朝向该基板。

11.如权利要求11所述的封装结构的制造方法，其特征在于，更包括配置导电接合件于该信号导电线路与该基板的导电接垫之间，以电性连接该信号导电线路与该导电接垫。

12.如权利要求11所述的封装结构的制造方法，其特征在于，该信号导电线路的形成方法包括：

形成导电薄膜于该盖体的该内表面上；以及

图案化该导电薄膜以形成该信号导电线路。

13.如权利要求11所述的封装结构的制造方法，其特征在于，更包括形成导电屏蔽层于该盖体的该内表面上，方法包括：

形成导电薄膜于该盖体的该内表面上；以及

图案化该导电薄膜以形成该导电屏蔽层。

14.如权利要求11所述的封装结构的制造方法，其特征在于，更包括形成导电屏蔽层于该盖体的该内表面上，其中该导电屏蔽层与该信号导电线路是同时形成。