[发明专利]阳极结构及其制备方法

权利要求书

1.一种阳极结构，应用于顶发射OLED微显示器件，其特征在于，于Si衬底上，自下而上依次包括：

第一层反射提高层，用于提高所述阳极结构的反射率；

第二层扩散阻挡层，用于阻挡所述第一层反射提高层的扩散；以及，

第三层匹配层，用于匹配空穴注入层的最高被占据分子轨道。

2.如权利要求1所述的阳极结构，其特征在于，

所述第一层反射提高层为Al层；

所述第二层扩散阻挡层为Cu层；

所述第三层匹配层为过渡金属氮化物层。

3.如权利要求2所述的阳极结构，其特征在于，

所述Al层的厚度在100～120nm之间；

所述Cu层的厚度在5～10nm之间；

所述过渡金属氮化物层的厚度在3～8nm之间。

4.如权利要求2所述的阳极结构，其特征在于，

所述过渡金属氮化物包括：二元化合物ZrN和HfN，三元化合物Zr_xHf1-_xN、Ti_xZr1-_xN、Hf_xZr1-_xN以及Ti_xHf1-_xN；

其中0x0.15。

5.一种阳极结构的制备方法，其特征在于，用于对权利要求1至4任一项所述的阳极结构的制备，包括：

通过磁控溅射沉积制备所述第一层反射提高层；以及，

通过脉冲激光沉积制备所述第二层扩散阻挡层以及所述第三层匹配层。

6.如权利要求5所述的阳极结构的制备方法，其特征在于，当所述第一层反射提高层为Al层时，所述通过磁控溅射沉积制备所述第一层反射提高层包括：

通过磁控溅射溅射Al靶的方法在Si衬底上沉积；沉积温度为室温，生长气氛为氩气。

7.如权利要求6所述的阳极结构的制备方法，其特征在于，当所述第二层扩散阻挡层为Cu层时，所述通过脉冲激光沉积制备所述第二层扩散阻挡层包括：

在真空气氛中，通过脉冲激光沉积，激光烧蚀Cu靶材于所述Al层上制备所述Cu层。

8.如权利要求7所述的阳极结构的制备方法，其特征在于，当所述第三层匹配层为过渡金属氮化物层，且所述过渡金属氮化物包括：二元化合物ZrN和HfN，三元化合物Zr_xHf1-_xN、Ti_xZr1-_xN、Hf_xZr1-_xN以及Ti_xHf1-_xN时，所述通过脉冲激光沉积制备所述第三层匹配层包括：

在氮气气氛中，通过脉冲激光沉积，激光烧蚀ZrN(Zr)靶材或HfN(Hf)靶材于所述Cu层上制备ZrN层或HfN层，进而制备二元过渡金属氮化物层ZrN或HfN薄膜。

9.如权利要求8所述的阳极结构的制备方法，其特征在于，所述通过脉冲激光沉积制备所述第三层匹配层还包括：

在氮气气氛中，通过脉冲激光沉积，激光烧蚀ZrHf9靶材、Zr9Ti靶材、Zr9Hf靶材以及Hf9Ti靶材沉积，制备所述三元过渡金属氮化物层Zr_xHf1-_xN、Ti_xZr1-_xN、Hf_xZr1-_xN以及Ti_xHf1-_xN。

10.如权利要求7或8或9所述的阳极结构的制备方法，其特征在于，所述脉冲激光沉积方法所采用的激光波长为248nm，激光脉冲宽度为25ns，最大脉冲重复频率为10Hz。