[发明专利]包括发光二极管和控制电路的光电子装置

说明书

本发明涉及一种光电子装置(5)，包括第一集成电路(6)，其包括：‑基板，具有第一和第二相对表面；以及‑位于第一表面上的发光二极管的集合的群组(Gsubgt;1/subgt;、Gsubgt;2/subgt;、Gsubgt;3/subgt;)。所述集成电路(6)还包括；‑在所述基板中，用于围绕着每个集合将基板的各部分电绝缘的第一侧面元件(52)；以及‑针对第二表面上的每个群组，被连接到群组的第一端子的至少一个导电接点(46subgt;1/subgt;、46subgt;2/subgt;、46subgt;3/subgt;)以及被连接到群组的第二端子的至少一个第二导电接点(48subgt;1/subgt;、48subgt;2/subgt;、48subgt;3/subgt;)。所述装置包括第二集成电路(7)，其包括：‑第三和第四相对表面；以及‑第三导电接点(70)，位于第三表面上并被电连接到第一和第二导电接点。第一集成电路被附着到第二集成电路的第三表面上。

本申请是申请号为201580036246.7、发明名称为“包括发光二极管和控制电路的光电子装置”、申请日为2015年6月30日的发明专利申请的分案申请。

本专利申请要求将通过引用结合到本文中的法国专利申请FR14/56178的优先权益。

技术领域

本发明一般地涉及基于半导体材料的光电子装置和制造该光电子装置的方法。本发明更一般地涉及包括由三维元件(特别是半导体微米线或纳米线)形成的发光二极管的光电子装置。

背景技术

短语“包括发光二极管的光电子装置”指定能够将电信号转换成电磁辐射的装置且特别是专用于发射电磁辐射(特别是光)的装置。能够形成发光二极管的三维元件的示例是微米线或纳米线，其包括基于化合物的半导体材料，该化合物主要包括至少一个III族元素和一个V族元素(例如，氮化镓GaN)(在下文中称为III-V化合物)或者主要包括至少一个II族元素和一个VI族元素(例如，氧化锌ZnO)，在下文中称为II-VI化合物。

光电子装置可以包括多个发光二极管和发光二极管控制电路。作为示例，可能期望用AC电压(特别是电源电压)对光电子装置供电。发光二极管控制电路然后可能能够对AC电压进行整流并选择性地对发光二极管供电以适应跨装置的瞬时电压并例如促进减少由发光二极管发出的光的闪烁现象。文献WO2013/110029描述了此类光电子装置。发光二极管对应于分立光电子组件，其每个可以包括一个或多个发光二极管。控制电路可以对应于具有与之连接的光电子组件的集成电路。

缺点是连接到集成电路的发光二极管的数目受到光电子组件的体积和要在光电子组件之间保持的最小距离的限制。此外，制造光电子装置的方法可能是复杂的，因为其包括将每个光电子组件连接到控制电路的步骤。

发明内容

因此，实施例的目的是克服包括发光二极管的前述光电子装置及其制造方法的缺点中的至少一个。

本发明的另一目的是通过减小被发光二极管占用的空间来增加光电子装置的紧凑性。

实施例的另一目的是减小包括串联连接发光二极管的光电子装置的体积。

本发明的另一目的是减少制造光电子装置的方法的步骤的数目。

实施例的另一目的是能够以工业规模且以低成本制造包括发光二极管的光电子装置。