[发明专利]一种阵列基板、显示面板及阵列基板的制造方法

权利要求书

1.一种阵列基板，其特征在于，包括：

衬底基板；

位于所述衬底基板上的用于形成第一薄膜晶体管的第一有源层，所述第一有源层包括沟道区和位于所述沟道区两侧的源漏接触区；

位于所述第一有源层上的第一绝缘层；

位于所述第一绝缘层上的第一金属层，所述第一金属层包括第一连接部，所述第一连接部与所述第一有源层的一源漏接触区交叠；

位于所述第一绝缘层和所述第一连接部上的用于形成第二薄膜晶体管的第二有源层，所述第二有源层包括沟道区和位于所述沟道区两侧的源漏接触区，所述第一连接部与所述第一有源层的一源漏接触区交叠；

其中，所述第一有源层的源漏接触区与所述第二有源层的源漏接触区交叠并通过所述第一绝缘层上的过孔和所述第一连接部电连接；

所述第二有源层位于所述第一连接部背离所述衬底基板的一侧，所述第一连接部与所述第二有源层接触；

所述第二薄膜晶体管的第二源/漏极通过贯穿所述第二有源层的过孔与所述第一连接部接触。

2.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，

所述第一有源层为低温多晶硅，所述第二有源层为氧化物半导体。

3.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，

所述第一薄膜晶体管还包括与所述第一有源层的沟道区交叠的第一栅极；

其中，所述第一栅极与所述第一连接部绝缘但同层同材料。

4.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，还包括：

位于所述第一绝缘层上的电容电极，所述电容电极与所述第一连接部绝缘但同层同材料。

5.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，还包括：

位于所述第二有源层上的第二绝缘层，位于所述第二绝缘层上的第二金属层，所述第二金属层包括与所述第二有源层的至少一源漏接触区交叠的第二源/漏极；所述第二源/漏极通过所述第二绝缘层上的过孔与所述第二有源层的源漏接触区电连接；

其中，所述第二源/漏极与所述第一连接部交叠，并通过所述源漏接触区的过孔与所述第一连接部电连接。

6.如权利要求1至5中任意一项所述的阵列基板，其特征在于，

所述第一金属层还包括第二连接部，所述第二连接部与所述第一有源层的至少一源漏接触区交叠，并通过所述一绝缘层的过孔与所述第一有源层的源漏接触区电连接。

7.如权利要求5所述的阵列基板，其特征在于，

所述第二金属层还包括与所述第一有源层的至少一源漏接触区交叠的第一源/漏极；所述第一源/漏极通过所述第二绝缘层上的过孔与所述第一有源层的源漏接触区电连接。

8.一种显示面板，其特征在于，包括：

权利要求1-7中任意一项所述的阵列基板。

9.一种阵列基板的制作方法，其特征在于，

提供衬底基板；

在所述衬底基板一侧形成第一薄膜晶体管的第一有源层，所述第一有源层包括沟道区和位于所述沟道区两侧的源漏接触区；

在所述第一有源层远离所述衬底基板一侧形成第一绝缘层，在所述第一绝缘层上形成暴露所述第一有源层的一源漏接触区的第一过孔；

在所述第一绝缘层远离所述衬底基板一侧形成第一金属层；

图案化所述第一金属层至少形成第一连接部，所述第一连接部与所述第一有源层的一源漏接触区交叠并通过所述第一过孔与所述第一有源层的源漏接触区接触；

在所述第一金属层远离所述衬底基板一侧形成用于形成第二薄膜晶体管的第二有源层，所述第二有源层包括沟道区和位于所述沟道区两侧的源漏接触区，所述第一连接部与所述第一有源层的一源漏接触区交叠；

所述第二有源层位于所述第一连接部背离所述衬底基板的一侧，所述第一连接部与所述第二有源层接触；

所述第二薄膜晶体管的第二源/漏极通过贯穿所述第二有源层的过孔与所述第一连接部接触。