[发明专利]一种钴硫化合物/硫掺杂碳复合材料的制备方法

权利要求书

1.一种基于金属有机框架材料合成钴硫化合物/硫掺杂碳复合纳米片的制备方法，其特征在于按以下步骤实现：

1)、将CoBDC与S粉在玛瑙研钵中混合均匀作为前驱体；

2)、在惰性气体保护下，将步骤1)中所得的前驱体放置于管式炉中，以1～5℃/min的升温速率升温至500～700℃焙烧3～6h，自然冷却至室温，即得到钴硫化合物/硫掺杂碳复合材料。

2.根据权利要求1所述的钴硫化合物/硫掺杂碳复合纳米片的制备方法，其特征在于步骤1)中所述CoBDC与S粉的质量比的范围为1：2到1：5之间。

3.根据权利要求2所述的钴硫化合物/硫掺杂碳复合纳米片的制备方法，其特征在于，所述的CoBDC的质量为40～200mg，S粉的质量为80～1000mg。

4.根据权利要求1-3任一项所述的钴硫化合物/硫掺杂碳复合纳米片的制备方法，其特征在于步骤2)中所述的惰性气体为氮气，是在该气氛下以5℃/min的升温速率，升温至650℃焙烧5h。