[发明专利]峰/保电流驱动电路

权利要求书

1.一种峰/保电流驱动电路，其特征在于：包括24V电源（1）、单片机（2）、升压芯片（3）、Boost电路（4）、电流信号检测电路（5）、高速电磁阀负载（6）和低端驱动电路及开关管（7）；

所述24V电源（1）是电压源输入，该24V电源（1）与Boost电路（4）连接；

所述单片机（2）用于控制升压芯片（3）和低端驱动电路及开关管（7）工作，并采集来自电流信号检测电路（5）采集电流信号后产生的电压信号输出，用于对驱动高速电磁阀负载（6）的电流信号进行闭环控制，单片机（2）分别与升压芯片（3）、低端驱动电路及开关管（7）和电流信号检测电路（5）相连接；

所述升压芯片（3）用于控制Boost电路（4）工作，升压芯片（3）接收到单片机（2）工作指令后，开始产生高压，用于驱动产生峰值电流，当单片机（2）计时峰值电流脉宽达到目标值后，单片机（2）重新发出指令给升压芯片（3），停止Boost电路（4）工作，此时切换为24V电源（1）给高速电磁阀负载（6）进行供电，该升压芯片（3）与 Boost电路（4）相连接；

所述Boost电路（4）用于产生24V～100V电压，驱动高速电磁阀负载（6）工作，该Boost电路（4）与电流信号检测电路（5）相连接；

所述电流信号检测电路（5）用于采集经过高速电磁阀负载（6）的电流信号，并将采集到的电流信号转换成电压信号，送进单片机（2），单片机（2）与预设阈值进行比较，并基于比较结果来决定驱动低端驱动电路及开关管（7）的斩波信号，从而对电流信号进行闭环控制，该电流信号检测电路（5）与高速电磁阀负载（6）相连接；

所述低端驱动电路及开关管（7）用于接收单片机（2）的斩波信号，并将信号放大后来驱动低端开关，用来控制驱动电流输出，该低端驱动电路及开关管（7）与高速电磁阀负载（6）相连接。

2.根据权利要求1所述的峰/保电流驱动电路，其特征在于：所述 24V电源（1）、单片机（2）、升压芯片（3）和Boost电路（4）组成高压/24V切换电路；

所述Boost电路由电感L1、二极管D1、MOS管Q1、电容C1、电阻R1和电阻R2组成，以上各元器件的连接关系如下：

所述电感L1的一端与24V电源（1）连接，电感L1的另一端与MOS管Q1的漏极相连，MOS管Q1的栅极与升压芯片（3）的SWO引脚连接，MOS管Q1的源极接地；电感L1与MOS管Q1的漏极的连接点依次经二极管D1、电容C1后接地；二极管D1和电容C1的连接点依次经电阻R1和电阻R2后接地；电阻R1和电阻R2的连接点与升压芯片（3）的FB引脚连接；升压芯片（3）的EN引脚与单片机（2）连接。

3.根据权利要求1或2所述的峰/保电流驱动电路，其特征在于：所述电流信号检测电路（5）包括霍尔传感器、电阻R_M和V_C电源，以上各元器件的连接关系如下：

所述霍尔传感器的型号为LEM LA-25，其1、2、3、4、5引脚相并联，并与Boost电路（4）的电源输出相连接，霍尔传感器的6、7、8、9、10引脚相并联，并与高速电磁阀负载（6）的正向端连接，霍尔传感器的+引脚与V_C电源的正电压相连接，霍尔传感器的-引脚与V_C电源的负电压相连接，霍尔传感器的M引脚经电阻R_M后接地。

4.根据权利要求3所述的峰/保电流驱动电路，其特征在于：还包括保护电路；所述Boost电路（4）、电流信号检测电路（5）、高速电磁阀负载（6）、保护电路和低端驱动电路及开关管（7）组成电流驱动电路；

所述高速电磁阀负载（6）由负载1、负载2、负载3和负载4组成；

所述低端驱动电路及开关管（7）由低端驱动芯片、MOS管Q2、MOS管Q3、MOS管Q4和MOS管Q5组成；

所述保护电路包括续流二极管D2、续流二极管D3、续流二极管D4、续流二极管D5、保险管F1、保险管F2、保险管F3和保险管F4；

以上各元器件的连接关系如下：

所述Boost电路（4）分别与电流信号检测电路的IN端、续流二极管D2的负极、续流二极管D3的负极、续流二极管D4的负极、续流二极管D5的负极连接；所述电流信号检测电路分别与负载1的一端、负载2的一端、负载3的一端、负载4的一端相连接；负载1的另一端与续流二极管D2的正极连接，负载2的另一端与续流二极管D3的正极连接，负载3的另一端与续流二极管D4的正极连接，负载4的另一端与续流二极管D5的正极连接；负载1与续流二极管D2的连接点经保险管F1后与MOS管Q2的漏极连接；负载2与续流二极管D3的连接点经保险管F2后与MOS管Q3的漏极连接；负载3与续流二极管D4的连接点经保险管F3后与MOS管Q4的漏极连接；负载4与续流二极管D5的连接点经保险管F4后与MOS管Q5的漏极连接；MOS管Q2的源极、MOS管Q3的源极、MOS管Q4的源极和MOS管Q5的源极均接地；MOS管Q2的栅极、MOS管Q3的栅极、MOS管Q4的栅极和MOS管Q5的栅极分别与低端驱动芯片连接。