[发明专利]有源矩阵基板及其制造方法

说明书

本发明涉及一种有源矩阵基板及其制造方法。FFS模式的液晶面板的有源矩阵基板具备：多个栅极线；多个数据线；多个像素电路，其包含开关元件和像素电极；保护绝缘膜，其与这些要素相比形成于上层；以及共用电极，其形成在保护绝缘膜的上层。数据线包含：下层导体部，其与像素电极一起使用氧化铟锡形成；以及上层导体部，其使用钼铌和铝合金形成。下层导体部形成为在开关元件的位置被切断的形状，上层导体部以与下层导体部重叠的方式形成为连续的形状。从而，提供能够防止数据线的断线不良、取向不良的有源矩阵基板。

技术领域

本发明涉及显示装置，特别涉及具有共用电极的有源矩阵基板及其制造方法。

背景技术

液晶显示装置作为薄型、轻量、低功耗的显示装置得到广泛利用。液晶显示装置中包含的液晶面板具有将有源矩阵基板与相对基板贴合且在2个基板之间设置有液晶层的结构。在有源矩阵基板上形成有多个栅极线、多个数据线以及包含薄膜晶体管(Thin FilmTransistor：以下称为TFT)和像素电极的多个像素电路。

作为对液晶面板的液晶层施加电场的方式，已知纵电场方式和横电场方式。在纵电场方式的液晶面板中，使用像素电极和形成在相对基板的共用电极来对液晶层施加大体纵向的电场。在横电场方式的液晶面板中，共用电极与像素电极一起形成于有源矩阵基板，使用像素电极和共用电极来对液晶层施加大体横向的电场。横电场方式的液晶面板与纵电场方式的液晶面板相比，具有视角广的优点。

作为横电场方式，已知IPS(In-Plane Switching；面内开关)模式和FFS(FringeField Switching；边缘场开关)模式。在IPS模式的液晶面板中，像素电极和共用电极分别形成为梳齿状，以在俯视时不重叠的方式配置。在FFS模式的液晶面板中，在共用电极和像素电极中的任意一方形成有狭缝，像素电极和共用电极以隔着保护绝缘膜在俯视时重叠的方式配置。FFS模式的液晶面板相比于IPS模式的液晶面板具有开口率高的优点。

FFS模式的液晶面板的有源矩阵基板使用5个或者6个光掩模来制造。在国际公开第2016/21319号中记载了使用6个光掩模的有源矩阵基板的制造方法。在该文献中，在第3工序中使用MoNb(钼铌)形成了源极层图案之后，在第4工序中使用IZO(氧化铟锌)来形成像素电极。通过该方法制造的有源矩阵基板的数据线具有包括由MoNb形成的下层和由IZO形成的上层的2层结构。

2层结构的数据线也记载于日本特开平4-276723号公报、日本特开平11-295760号公报以及日本特开平11-326950号公报中。在日本特开平4-276723号公报中记载有包括由ITO(氧化铟锡)形成的下层和使用Mo(钼)形成且比下层的宽度大的上层的数据线。在日本特开平11-295760号公报中记载有包括由ITO形成的下层和使用Al(铝)形成且在与扫描线交叉部的端处比下层的宽度大的上层的数据线。在日本特开平11-326950号中记载有将透明导电层和金属层蚀刻为同一图案而形成的数据线。

考虑如国际公开第2016/21319号所记载的那样，在第3工序中使用MoNb形成源极层图案，在第4工序中使用IZO形成像素电极的情况。在这种情况下，在第3工序和第4工序中，使用磷酸-硝酸-乙酸作为蚀刻液。但是，如果在第3工序中使用磷酸-硝酸-乙酸进行蚀刻之后，在第4工序中使用相同的药液进行蚀刻，则蚀刻会过度。因此，如果数据线有图案不良，则数据线容易发生断线。

另外，在记载于国际公开第2016/21319号的有源矩阵基板中，与数据线同样，TFT的漏极电极和源极电极具有2层结构。因此，在形成有TFT的位置，膜厚变厚，在形成有TFT的位置与周边部之间产生高低差。如果在具有高低差的有源矩阵基板上进行摩擦处理，则有时会产生取向不良，产生被称为条纹的显示不良。

发明内容

因此，作为技术问题提出的是，提供能够防止数据线的断线不良、取向不良的有源矩阵基板。

(1)本发明的若干实施方式的有源矩阵基板具备：