[发明专利]有源矩阵基板及其制造方法

权利要求书

1.一种有源矩阵基板，其特征在于，具备：

多个栅极线；

多个数据线；

多个像素电路，其与上述栅极线和上述数据线的交点对应地配置，各自包含开关元件和像素电极；

保护绝缘膜，其与上述栅极线、上述数据线、上述开关元件以及上述像素电极相比，形成于上层；以及

共用电极，其形成在上述保护绝缘膜的上层，

上述数据线包含：下层导体部，其与上述像素电极一起使用氧化铟锡形成；以及上层导体部，其使用氧化铟锡以外的金属材料形成，

上述下层导体部形成为在上述开关元件的位置处被切断的形状，

上述上层导体部以与下层导体部重叠的方式形成为连续的形状。

2.根据权利要求1所述的有源矩阵基板，其特征在于，

上述下层导体部形成为在上述栅极线的配置位置处被切断的形状。

3.根据权利要求1所述的有源矩阵基板，其特征在于，

上述上层导体部使用钼铌和铝合金形成。

4.根据权利要求3所述的有源矩阵基板，其特征在于，

上述上层导体部具有包括钼铌、铝合金以及钼铌的3层结构。

5.根据权利要求1所述的有源矩阵基板，其特征在于，

上述上层导体部形成为比上述下层导体部窄的线宽。

6.根据权利要求1所述的有源矩阵基板，其特征在于，

上述共用电极对应于上述像素电极而具有多个狭缝。

7.一种有源矩阵基板的制造方法，其特征在于，具备：

在第1配线层形成多个栅极线和多个开关元件的栅极电极的步骤；

形成栅极绝缘膜和半导体膜的步骤；

像素电极层形成步骤，在像素电极层使用氧化铟锡形成像素电极和多个数据线的下层导体部；

源极层形成步骤，在第2配线层使用氧化铟锡以外的金属材料形成上述数据线的上层导体部和上述开关元件的导通电极，并且将上述半导体膜图案化；

在上述像素电极的上层形成保护绝缘膜的步骤；以及

在上述保护绝缘膜的上层形成共用电极的步骤，

在上述像素电极层形成步骤中，使上述下层导体部形成为在上述开关元件的位置被切断的形状，

在上述源极层形成步骤中，使上述上层导体部以与上述下层导体部重叠的方式形成为连续的形状。

8.根据权利要求7所述的有源矩阵基板的制造方法，其特征在于，

在上述像素电极层形成步骤中，使上述下层导体部形成为在上述栅极线的配置位置被切断的形状。

9.根据权利要求7所述的有源矩阵基板的制造方法，其特征在于，

在上述源极层形成步骤中，使用钼铌和铝合金形成上述上层导体部和上述导通电极。

10.根据权利要求9所述的有源矩阵基板的制造方法，其特征在于，

在上述源极层形成步骤中，以具有包括钼铌、铝合金以及钼铌的3层结构的方式，形成上述上层导体部和上述导通电极。

11.根据权利要求7所述的有源矩阵基板的制造方法，其特征在于，

在上述像素电极层形成步骤中，使用氯化铁或者草酸进行蚀刻，

在上述源极层形成步骤中，使用不蚀刻氧化铟锡的蚀刻液来进行蚀刻。

12.根据权利要求11所述的有源矩阵基板的制造方法，其特征在于，

在上述源极层形成步骤中，使用磷酸-硝酸-乙酸进行蚀刻。

13.根据权利要求7所述的有源矩阵基板的制造方法，其特征在于，

在上述源极层形成步骤中，使上述上层导体部形成为比上述下层导体部窄的线宽。

14.根据权利要求7所述的有源矩阵基板的制造方法，其特征在于，

在形成上述共用电极的步骤中，以对应于上述像素电极而具有多个狭缝的方式形成上述共用电极。