[发明专利]一种太阳光抗反射器及其制备方法

权利要求书

1.一种太阳光抗反射器，其特征在于，包括：

基底；

本体结构，所述本体结构设于所述基底上表面；所述本体结构包括：

硅基超表面结构；所述硅基超表面结构上设有蜂窝状孔洞；所述硅基超表面结构上表面还包括不少于一个的凸起。

2.根据权利要求1所述的太阳光抗反射器，其特征在于，所述蜂窝状孔洞包括第一类孔、第二类孔和第三类孔；所述第一类孔、第二类孔和第三类孔形状不完全相同。

3.根据权利要求2所述的太阳光抗反射器，其特征在于，所述第一类孔、第二类孔和第三类孔的深度均不相等。

4.根据权利要求2所述的太阳光抗反射器，其特征在于，所述第一类孔、第二类孔和第三类孔孔径均不相同。

5.根据权利要求1所述的太阳光抗反射器，其特征在于，所述凸起包括第一类凸起、第二类凸起和第三类凸起。

6.根据权利要求5所述的太阳光抗反射器，其特征在于，所述第一类凸起、第二类凸起和第三类凸起的高度均不相等。

7.根据权利要求1所述的太阳光抗反射器，其特征在于，所述凸起形状为椎体、圆台、圆柱中的任一一种。

8.根据权利要求1-7所述的任一太阳光抗反射器的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤1、清洗硅片至洁净备用；

步骤2、镀膜，在步骤1准备好的洁净硅片上蒸镀一层金属膜；

步骤3、对步骤2中形成的金属膜进行颗粒化处理；

步骤4、刻蚀，将步骤3中颗粒化后的金属膜置入刻蚀液中浸泡；

步骤5、漂洗，将步骤4中刻蚀后的金属膜用去离子水冲洗至洁净；

步骤6、得到太阳光抗反射器。

9.根据权利要求8所述的太阳光抗反射器的制备方法，其特征在于，步骤3中颗粒化处理采用热处理技术。

10.根据权利要求8所述的太阳光抗反射器的制备方法，其特征在于，步骤4中的刻蚀液由HF：H₂O₂：H₂O＝3:2:50的比例配制而成。