[发明专利]存储器测试方法、装置、存储器、设备及可读存储介质

说明书

本发明公开一种存储器测试方法、装置、存储器、设备及可读存储介质。所述方法包括：对存储器中的各存储单元进行保持时间测试，以分别获得各所述存储单元的保持时间；确定本次获得的各所述存储单元的保持时间是否不小于预设的时间规格；当各所述存储单元的保持时间不小于所述时间规格时，统计已执行的保持时间测试的当前测试次数；当所述当前测试次数小于预设测试次数时，进入下一次所述保持时间测试。根据本发明提供的存储器测试方法，可精确地检测到失效存储单元，增大了存储器测试的覆盖率，降低了后续封装测试过程中存储单元发生边缘失效的风险，保证了存储器的可靠性。

技术领域

本发明涉及存储器测试领域，具体而言，涉及一种存储器测试方法、装置、存储器、设备及可读存储介质。

背景技术

对于易失性存储器来说，当存储器失去电能之后，存储器将不能保持其原始存储的数据。以DRAM(Dynamic Random Access Memory，动态随机存取存储器)举例来说，如图1所示，DRAM的存储单元40由一个晶体管402和一个电容器404组成，其中字线(WL)上的电压VPP控制晶体管402的开关。当存储单元40的晶体管402开启后，存储单元40位线(BL)上的电压VBL对存储单元40的电容器404充电；当存储单元40的晶体管402关闭后，电容器404将随时间变化而漏电。DRAM存储单元40的保持时间是指，在电容器404漏电后该存储单元40仍能保持所存储数据的准确性，而不会造成读取数据失效的有效时间。

存储器的制造过程中会有工艺上的偏差，导致有些存储单元的保持时间会随着测试时间的增加产生变化。在现有的存储器测试方法(如图2所示)中，仅通过一次保持时间测试得到测试结果可能使某些处于时间规格边缘的存储单元被判定为合格，进而在后续封装测试中增加该存储单元失效的风险，导致存储器出现异常。

在所述背景技术部分公开的上述信息仅用于加强对本发明的背景的理解，因此它可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。

发明内容

有鉴于此，本发明提供一种存储器测试方法、装置、存储器、电子设备及可读存储介质。

本发明的其他特性和优点将通过下面的详细描述变得显然，或部分地通过本发明的实践而习得。

根据本发明的一方面，提供一种存储器测试方法，所述方法包括：对存储器中的各存储单元进行保持时间测试，以分别获得各所述存储单元的保持时间；确定本次获得的各所述存储单元的保持时间是否不小于预设的时间规格；当各所述存储单元的保持时间不小于所述时间规格时，统计已执行的保持时间测试的当前测试次数；当所述当前测试次数小于预设测试次数时，进入下一次所述保持时间测试。

根据本发明的一实施方式，所述对存储器中的各存储单元进行保持时间测试包括：获取测试数据图案；按照所述测试数据图案依次对所述存储器中的各所述存储单元进行预设读写次数的读写操作，以分别获得每次所述读写操作的各所述存储单元的结果数据；每次所述读写操作对应于不同的暂停时间；基于所述存储单元在每次所述读写操作的结果数据及对应的暂停时间，分别获得各所述存储单元的保持时间。

根据本发明的一实施方式，所述测试数据图案中包含多个目标数据，每个所述目标数据对应于一存储单元；所述按照所述测试数据图案依次对所述存储器中的各所述存储单元进行预设读写次数的读写操作，包括：在每次所述读写操作中，按照所述测试数据图案在各所述存储单元中写入相应的目标数据；暂停预设的暂停时间；分别从各所述存储单元中读出结果数据。