[发明专利]浮栅存储器元件的制作方法

权利要求书

1.一种浮栅存储器元件的制作方法，包括:

在基材中形成多个隔离结构，并将该些隔离结构的至少两个相邻者的多个侧壁部分地暴露于外；

在该些隔离结构的至少两个相邻者之间的该基材上，形成栅极介电层；

在该栅极介电层上形成至少一浮置栅极；

在该多个侧壁的至少一者上形成间隙壁(spacer)，并覆盖一部分的该浮置栅极；以及

以该间隙壁为蚀刻掩模，对该浮置栅极进行第一回蚀(etch back)制作工艺。

2.如权利要求1所述的浮栅存储器元件的制作方法，其中形成该些隔离结构的步骤，包括：

在基材上形成垫氧化物层(pad oxide)；

在该垫氧化物层上形成图案化硬掩模层；

以该图案化硬掩模层为蚀刻掩模，进行蚀刻制作工艺，以形成多个开口，穿过该垫氧化物层，并延伸进入该基材；以及

以介电材质填充该些开口。

3.如权利要求2所述的浮栅存储器元件的制作方法，其中形成该栅极介电层之前，包括移除该图案化掩模层和该垫氧化物层，使每一该些侧壁的一部分暴露于外，其中每一该些侧壁暴露于外的该部分，具有由该基材的表面起算至该些隔离结构的上方表面的第一高度，该第一高度介于100埃至500埃之间。

4.如权利要求2所述的浮栅存储器元件的制作方法，其中该图案化硬掩模层包括氮化硅；该垫氧化物层包括硅氧化物。

5.如权利要求1所述的浮栅存储器元件的制作方法，其中形成该浮置栅极的步骤包括：

形成半导体层覆盖该栅极介电层和该隔离结构；以及

以该隔离结构作为停止层，平坦化该半导体层。

6.如权利要求5所述的浮栅存储器元件的制作方法，在形成该间隙壁之前，还包括第二回蚀制作工艺，用于移除一部分的该些浮置栅极，使每一该些侧壁的一部分暴露于外，其中每一该些侧壁暴露于外的该部分，具有由该些浮置栅极的顶部表面起算至该些隔离结构的上方表面的第二高度，该第二高度介于50埃至250埃之间。

7.如权利要求6所述的浮栅存储器元件的制作方法，其中该间隙壁硅形成于该顶部表面上，且包括氮化硅。

8.如权利要求7所述的浮栅存储器元件的制作方法，其中在该第一回蚀制作工艺之后，该浮置栅极具有凹陷部以及突出部；该凹陷部具有底部表面；该突出部位于该间隙壁下方，且包括一部分该顶部表面。

9.如权利要求8所述的浮栅存储器元件的制作方法，其中该突出部与该底部表面夹一直角或一非直角。

10.如权利要求8所述的浮栅存储器元件的制作方法，其中该顶部表面与该底部表面之间具有介于50埃至150埃之间的一高度差。