[发明专利]半导体封装结构及其制备方法

权利要求书

1.一种半导体封装结构，其特征在于，包括：

玻璃基板，所述玻璃基板包括第一表面及与所述第一表面相对的第二表面；

第一天线层，位于所述玻璃基板的第一表面；

第二天线层，位于所述玻璃基板的第二表面；

第一电连接结构，自所述玻璃基板的第一表面延伸至所述玻璃基板的第二表面，且与所述第一天线层及所述第二天线层电连接；

第二电连接结构，位于所述第二天线层远离所述玻璃基板的表面；

塑封层，位于所述玻璃基板的第二表面，且将所述第二天线层及所述第二电连接结构塑封；

重新布线层，位于所述塑封层远离所述玻璃基板的表面，所述重新布线层与所述第二电连接结构电连接；

芯片，倒装键合于所述重新布线层远离所述塑封层的表面，且与所述重新布线层电连接；

焊球凸块，位于所述重新布线层远离所述塑封层的表面，且与所述重新布线层电连接。

2.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于：所述第一天线层包括多个间隔排布的第一天线，所述第二天线层包括多个间隔排布的第二天线，所述第一电连接结构的数量为多个；所述第一天线、所述第二天线及所述第一电连接结构的数量相同，所述第一天线与所述第二天线一一上下对应设置，所述第一电连接结构将所述第一天线与所述第二天线一一对应电连接。

3.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于：所述第一电连接结构包括金属焊线或金属导电柱，所述第二电连接结构包括金属焊线或金属导电柱。

4.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于：所述重新布线层包括：

布线介电层，位于所述塑封层远离所述玻璃基板的表面；

金属叠层结构，位于所述布线介电层内，所述金属叠层结构包括多层间隔排布的金属线层及金属插塞，所述金属插塞位于相邻所述金属线层之间，以将相邻所述金属线层电连接。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的半导体封装结构，其特征在于：所述半导体封装结构还包括底部填充层，所述底部填充层填充于所述芯片与所述重新布线层之间。

6.一种半导体封装结构的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

提供玻璃基板，所述玻璃基板包括第一表面及与所述第一表面相对的第二表面；

于所述玻璃基板内形成第一电连接结构，并于所述玻璃基板的第一表面形成第一天线层，且于所述玻璃基板的第二表面形成第二天线层；所述第一电连接结构自所述玻璃基板的第一表面延伸至所述玻璃基板的第二表面；所述第一天线层与所述第二天线层与所述第一电连接结构电连接；

于所述第二天线层远离所述玻璃基板的表面形成第二电连接结构；

于所述玻璃基板的第二表面形成塑封层，所述塑封层将所述第二天线层及所述第二电连接结构塑封；

于所述塑封层远离所述玻璃基板的表面形成重新布线层，所述重新布线层与所述第二电连接结构电连接；

提供芯片，将所述芯片倒装键合于所述重新布线层远离所述塑封层的表面，且与所述重新布线层电连接；

于所述重新布线层远离所述塑封层的表面形成焊球凸块，所述焊球凸块与所述重新布线层电连接。

7.根据权利要求6所述的半导体封装结构的制备方法，其特征在于：于所述玻璃基板的第一表面形成第一天线层，并于所述玻璃基板的第二表面形成第二天线层包括如下步骤：

于所述玻璃基板的第一表面形成第一天线材料层；

对所述第一天线材料层进行刻蚀以得到包括多个间隔排布的第一天线的所述第一天线层，所述第一天线与所述第一电连接结构一一对应电连接；

于所述玻璃基板的第二表面形成第二天线材料层；

对所述第二天线材料层进行刻蚀以得到包括多个间隔排布的第二天线的所述第二天线层，所述第二天线与所述第一电连接结构一一对应电连接。

8.根据权利要求6所述的半导体封装结构的制备方法，其特征在于：将所述芯片倒装键合于所述重新布线层远离所述塑封层的表面之后还包括于所述芯片与所述重新布线层之间形成底部填充层的步骤。

9.根据权利要求6至8中任一项所述的半导体封装结构的制备方法，其特征在于：将若干个所述芯片倒装键合于所述重新布线层远离所述塑封层的表面，各所述芯片两侧均形成有所述焊球凸块；于所述重新布线层远离所述塑封层的表面形成所述焊球凸块之后还包括将所得结构进行切片处理的步骤，以得到若干个包括单个芯片及若干个所述焊球凸块的半导体封装结构。