[发明专利]内存接口电路、PHY芯片及处理器

说明书

本发明实施例提供一种内存接口电路、PHY芯片及处理器，包括：数据写入电路、数据读取电路、并串转换电路、串并转换电路，其中，数据写入电路与并串转换电路连接，数据读取电路与串并转换电路连接；并串转换电路用于接收内存控制器发送的第一并行信号，将第一并行信号转换为第一串行信号，并向数据写入电路发送第一串行信号；串并转换电路用于接收数据读取电路发送的第二串行信号，将第二串行信号转换为第二并行信号，并向内存控制器发送第二并行信号。提高了对内存的数据读写速率。

技术领域

本发明实施例涉及电路领域，尤其涉及一种内存接口电路、PHY芯片及处理器。

背景技术

内存控制器可以通过双倍速率(Double Data Rate，DDR)端口物理层(PortPhysical Layer，PHY)对DDR内存中的数据进行写入操作或者读取操作。

DDR PHY中通常包括多个内存接口电路，内存控制器可以通过内存接口电路对内存中的数据进行读写操作。即，内存控制器向DDR内存中写入的数据以及从DDR内存读取的数据均需要经过内存接口电路。在数据写入时，内存接口电路可以接收内存控制器发送的串行数据，并对该串行数据进行处理，以将该串行数据写入内存。在数据读取时，内存接口电路可以从内存中读取串行数据，并将串行数据发送给内存控制器。由于内存控制器的数据传输速率(向内存接口电路发送串行数据的速率、以及从内存接口电路接收串行数据的速率)通常具有最大限制，使得对DDR内存的数据读写速率也受到限制，导致对DDR内存的数据读写速率较低。

发明内容

本发明实施例提供一种内存接口电路、PHY芯片及处理器，提高了对内存的数据读写速率。

第一方面，本发明实施例提供一种内存接口电路，包括：数据写入电路、数据读取电路、并串转换电路、串并转换电路，其中，

所述数据写入电路与所述并串转换电路连接，所述数据读取电路与所述串并转换电路连接；

所述并串转换电路用于接收内存控制器发送的第一并行信号，将所述第一并行信号转换为第一串行信号，并向所述数据写入电路发送所述第一串行信号；所述串并转换电路用于接收所述数据读取电路发送的第二串行信号，将所述第二串行信号转换为第二并行信号，并向所述内存控制器发送所述第二并行信号。

在一种可能的实施方式中，所述数据写入电路包括数据信号写入模块和同步信号写入模块，所述并串转换电路包括第一并串转换模块和第二并串转换模块，其中，

所述数据信号写入模块与所述第一并串转换模块连接，所述第一并串转换模块用于接收所述内存控制器发送的第一并行数据信号，将所述第一并行数据信号转换为第一串行数据信号，并向所述数据信号写入模块发送所述第一串行数据信号；

所述同步信号写入模块与所述第二并串转换模块连接，所述第二并串转换模块用于接收所述内存控制器发送的并行控制信号，将所述并行控制信号转换为串行控制信号，并根据所述串行控制信号向所述同步信号写入模块发送同步信号，所述同步信号用于控制所述第一串行数据信号写入内存。

在一种可能的实施方式中，所述第一并串转换模块包括第一时钟生成单元和第一并串转换单元，其中，

所述第一时钟生成单元和所述第一并串转换单元连接；所述第一时钟生成单元用于生成第一时钟信号，所述第一并串转换单元用于根据所述第一时钟信号将所述第一并行数据信号转换为第一串行数据信号。

在一种可能的实施方式中，所述第一并串转换模块还包括第一延时单元，所述第一延时单元分别与所述第一并串转换单元和所述数据信号写入模块连接。

在一种可能的实施方式中，所述第二并串转换模块包括第二时钟生成单元、第二并串转换单元和门控单元，其中，