[发明专利]一种薄膜光伏电池的制造方法及薄膜光伏电池在审
申请号: | 201910472996.9 | 申请日: | 2019-05-31 |
公开(公告)号: | CN110277473A | 公开(公告)日: | 2019-09-24 |
发明(设计)人: | 眭斌;张为苍;赵云;李源;张文进;杨亮 | 申请(专利权)人: | 信利半导体有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/0224;H01L31/0445;H01L31/077;B82Y30/00;B82Y40/00 |
代理公司: | 广州粤高专利商标代理有限公司 44102 | 代理人: | 廖苑滨;刘春风 |
地址: | 516600 广*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 薄膜光伏电池 前电极 金属辅助电极 辅助电极 接触连接 透明基板 背电极 成膜 电阻 刻蚀 制造 光吸收层 显示模组 栅极总线 转换效率 隔开 绝缘 | ||
1.一种薄膜光伏电池的制造方法,其特征在于,包括以下步骤:提供一透明基板,将透明基板朝向显示模组的一侧进行前电极、光吸收层和背电极的成膜刻蚀;还包括对金属辅助电极的成膜刻蚀的步骤,其中金属辅助电极与前电极接触连接并金属辅助电极与背电极绝缘隔开。
2.如权利要求1所述的一种薄膜光伏电池的制造方法,其特征在于,包括以下步骤:
步骤S1:提供一透明基板,将透明基板朝向显示模组的一侧进行金属辅助电极成膜;
步骤S2:将金属辅助电极经涂胶曝光后成像并化学刻蚀;
步骤S3:在所述透明基板上进行前电极成膜,此时所述金属辅助电极至少部分形成在前电极的下面;
步骤S4:在所述前电极上进行光吸收层化学气相沉积成膜;
步骤S5:在所述光吸收层上进行背电极物理气相沉积成膜;
步骤S6:清洗后对背电极和光吸收层进行成像;
步骤S7:对前电极进行成像、刻蚀;
步骤S8:对最外层的保护层进行成膜或涂胶。
3.如权利要求1所述的一种薄膜光伏电池的制造方法,其特征在于,包括以下步骤:
步骤S1:提供一透明基板,将透明基板朝向显示模组的一侧进行前电极成膜;
步骤S2:在所述前电极上进行光吸收层化学气相沉积成膜;
步骤S3:在所述光吸收层上进行背电极物理气相沉积成膜、成像、刻蚀;
步骤S4:直接对光吸收层进行干刻蚀后脱光刻胶;
步骤S5:对前电极进行成像、刻蚀后脱掉光刻胶;
步骤S6:对绝缘层进行成膜或涂胶,用于防止前电极上的栅极总线与背电极连接导致短路;
步骤S7:对金属辅助电极成膜,成像、刻蚀,光刻胶脱模处理;
步骤S8:对最外层的保护层成膜。
4.如权利要求1所述的一种薄膜光伏电池的制造方法,其特征在于,包括以下步骤:
步骤S1:提供一透明基板,将透明基板朝向显示模组的一侧进行前电极成膜及成像蚀刻;
步骤S2:在所述前电极上进行光吸收层化学气相沉积成膜;
步骤S3:在所述光吸收层上进行背电极物理气相沉积成膜以及成像蚀刻,非光刻胶保护区域被金属刻蚀液蚀刻过程中形成开孔,再进行保留光刻胶直接对光吸收层进行干刻蚀,这样孔内保留有前电极;
步骤S4:在所述背电极上进行绝缘层成膜;
步骤S5:对金属辅助电极进行成膜,所述金属辅助电极通过开孔与前电极接触;
步骤S6:将金属辅助电极经涂胶曝光后成像并化学刻蚀。
5.一种薄膜光伏电池,所述薄膜光伏电池设于显示模组的显示面一侧,其特征在于,包括透明基板和设于所述透明基板上且朝向显示模组布置的光伏单元;所述光伏单元包括设于所述透明基板上的前电极、设于所述前电极上的光吸收层和设有所述光吸收层上的背电极;还包括与前电极接触的金属辅助电极,以及用于保护背电极、光吸收层、前电极和金属辅助电极的保护层,所述金属辅助电极与前电极接触连接用作栅极总线或者减少前电极的电阻。
6.如权利要求5所述的一种薄膜光伏电池的制造方法,其特征在于,所述金属辅助电极至少部分形成在前电极的下表面,且所述金属辅助电极形成在前电极的一侧或者两侧。
7.如权利要求6所述的一种薄膜光伏电池的制造方法,其特征在于,所述金属辅助电极与前电极接触的面至少部分为背向金属辅助电极的斜面。
8.如权利要求5所述的一种薄膜光伏电池,其特征在于,所述金属辅助电极形成在前电极的上表面,所述金属辅助电极与背电极之间还设有绝缘层。
9.如权利要求5所述的一种薄膜光伏电池,其特征在于,所述光吸收层和背电极为若干个间隔设置在所述前电极上,每个所述光吸收层和背电极上还覆盖有绝缘层,所述绝缘层之间形成有若干个开孔,所述金属辅助电极通过开孔与前电极接触连接。
10.如权利要求5-9任一项所述的一种薄膜光伏电池,其特征在于,所述金属辅助电极的下表面还设有防反射层。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的