[发明专利]蚀刻方法及蚀刻装置在审

申请号：	201910471001.7	申请日：	2019-05-31
公开（公告）号：	CN110581067A	公开（公告）日：	2019-12-17
发明（设计）人：	户田聪;菊岛悟;中込健;小泽淑惠;林军	申请（专利权）人：	东京毅力科创株式会社
主分类号：	H01L21/311	分类号：	H01L21/311;H01L21/67
代理公司：	11277 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙)	代理人：	刘新宇;李茂家
地址：	日本***	国省代码：	日本;JP
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摘要：
搜索关键词：	蚀刻基板对象部位硅氧化物蚀刻装置材料选择化学蚀刻气体供给深宽比比对室内
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【说明书】：

本发明涉及蚀刻方法及蚀刻装置。本发明的课题是提供在不发生基于反应产物的蚀刻抑制的情况下能够以高选择比对基板上的材料进行化学蚀刻的蚀刻方法及蚀刻装置。本发明的蚀刻方法具备如下工序：在腔室内设置基板的工序，该基板具有硅氧化物系材料和其它材料，且硅氧化物系材料具有蚀刻对象部位，蚀刻对象部位具有10nm以下的宽度、并且具有10以上的深宽比；将HF气体及含OH气体供给至基板，相对于其它材料选择性地对蚀刻对象部位进行蚀刻的工序。

技术领域

本公开涉及蚀刻方法及蚀刻装置。

背景技术

专利文献1、2公开了化学去除硅氧化膜的化学氧化物去除处理(Chemical OxideRemoval；COR)。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2005-39185号公报

专利文献2：日本特开2008-160000号公报

发明内容

发明要解决的问题

本公开提供在不发生基于反应产物的蚀刻抑制的情况下能够以高选择比对基板上的材料进行化学蚀刻的蚀刻方法及蚀刻装置。

用于解决问题的方案

本公开的一个实施方式的蚀刻方法具备如下工序：在腔室内设置基板的工序，前述基板具有硅氧化物系材料和其它材料，且前述硅氧化物系材料具有蚀刻对象部位，前述蚀刻对象部位具有10nm以下的宽度、并且具有10以上的深宽比；和，将HF气体及含OH气体供给至基板，相对于前述其它材料选择性地对前述蚀刻对象部位进行蚀刻的工序。

发明的效果

根据本公开，在不发生基于反应产物的蚀刻抑制的情况下能够以高选择比对基板上的材料进行化学蚀刻。

附图说明

图1是表示第一实施方式的蚀刻方法的流程图。

图2是表示供于蚀刻的基板的结构例的剖面图。

图3是表示使用HF气体和NH₃气体对图2所示的结构的基板的SiO₂膜进行蚀刻时的状态的剖面图。

图4是表示使用HF气体和H₂O气体对图2所示的结构的基板的SiO₂膜进行蚀刻时的状态的剖面图。

图5是表示用HF气体及H₂O气体对SiOC_xN膜进行蚀刻时的、SiOC_xN膜的C浓度与蚀刻量的关系的图。

图6是表示第三实施方式的蚀刻方法的流程图。

图7是表示第四实施方式的蚀刻方法的流程图。

图8是表示用于实施方式的蚀刻方法的实施的处理系统的一个例子的概要构成图。

图9是表示搭载于图8的处理系统的蚀刻装置的剖面图。