[发明专利]蚀刻方法及蚀刻装置

权利要求书

1.一种蚀刻方法，其中，具备如下工序：

在腔室内设置基板的工序，所述基板具有硅氧化物系材料和其它材料，且所述硅氧化物系材料具有蚀刻对象部位，所述蚀刻对象部位具有10nm以下的宽度、并且具有10以上的深宽比；和，

将HF气体及含OH气体供给至基板，相对于所述其它材料选择性地对所述蚀刻对象部位进行蚀刻的工序。

2.根据权利要求1所述的蚀刻方法，其中，所述含OH气体为水蒸气或者醇气体。

3.根据权利要求1或权利要求2所述的蚀刻方法，其中，所述其它材料为选自SiN、SiCN、金属系材料及Si中的至少1种。

4.根据权利要求1或权利要求2所述的蚀刻方法，其中，所述硅氧化物系材料为SiO₂，所述其它材料为选自SiN、SiCN、SiOCN、金属系材料及Si中的至少1种。

5.一种蚀刻方法，其中，具备如下工序：

在腔室内设置基板的工序，所述基板具有第一SiOCN材料和第二SiOCN材料，所述第二SiOCN材料与所述第一SiOCN材料相比具有较高的C浓度；和，

将HF气体及含OH气体供给至所述腔室内的所述基板，相对于所述第二SiOCN材料选择性地对所述第一SiOCN材料进行蚀刻的工序。

6.根据权利要求5所述的蚀刻方法，其中，所述第一SiOCN材料具有蚀刻对象部位，且所述蚀刻对象部位具有10nm以下的宽度、并且具有10以上的深宽比，所述蚀刻的工序中，选择性地对所述蚀刻对象部位进行蚀刻。

7.根据权利要求5或权利要求6所述的蚀刻方法，其中，所述第一SiOCN膜具有1～6at％的C浓度。

8.根据权利要求5或权利要求6所述的蚀刻方法，其中，所述第一SiOCN膜具有2at％以下的C浓度。

9.根据权利要求1～权利要求8中的任一项所述的蚀刻方法，其中，所述蚀刻的工序中的所述基板的温度为-20～20℃。

10.根据权利要求1～权利要求9中的任一项所述的蚀刻方法，其中，所述蚀刻的工序中的所述腔室内的压力为2～10Torr(266～1333Pa)。

11.根据权利要求1～权利要求10中的任一项所述的蚀刻方法，其中，所述HF气体及所述含OH气体在未相互混合的情况下被供给至所述腔室内。

12.根据权利要求11所述的蚀刻方法，其中，在开始供给所述HF气体之前供给所述含OH气体。

13.根据权利要求1～权利要求12中的任一项所述的蚀刻方法，其中，所述蚀刻的工序可重复进行，

该方法还具备进行中间吹扫的工序，

所述中间吹扫具备如下工序：进行所述腔室内的排气的工序；和，在进行所述排气的工序期间，将吹扫气体供给至所述腔室内的工序。

14.根据权利要求1～权利要求13中的任一项所述的蚀刻方法，其中，还具备使用HF气体及NH₃气体从所述基板的表面去除自然氧化膜的工序，且在所述蚀刻的工序之前进行所述去除的工序。

15.根据权利要求1～权利要求14中的任一项所述的蚀刻方法，其中，还具备在所述蚀刻的工序之后进行最终吹扫的工序，

所述最终吹扫具备如下工序：进行所述腔室内的排气的工序；和，在进行所述排气的工序期间，将NH₃气体供给至所述腔室内的工序。

16.一种蚀刻装置，其中，所述蚀刻装置具有：

腔室，其收容基板；

载置台，其在所述腔室内载置基板；

温度调节部，其调节所述载置台上的基板的温度；

气体供给部，其供给包含用于蚀刻的气体的气体；

排气部，其对所述处理容器内进行排气；和，

控制部，其控制所述温度调节部、所述气体供给部及所述排气部。