[发明专利]有机发光二极管显示器在审
申请号: | 201910466602.9 | 申请日: | 2019-05-31 |
公开(公告)号: | CN110265436A | 公开(公告)日: | 2019-09-20 |
发明(设计)人: | 徐鸣 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52 |
代理公司: | 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 | 代理人: | 黄威 |
地址: | 518132 广东省深*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 发光器件 薄膜晶体管 底发射型 顶发射型 透明基板 有机发光二极管显示器 第二面 正投影 | ||
本揭示提供一种有机发光二极管显示器,包含:透明基板,包含第一面和相对所述第一面的第二面;顶发射型发光器件,设置在所述透明基板的所述第一面,其中所述顶发射型发光器件包含第一薄膜晶体管;以及底发射型发光器件,设置在所述透明基板的所述第二面,其中所述底发射型发光器件包含第二薄膜晶体管,以及所述底发射型发光器件的所述第二薄膜晶体管在所述顶发射型发光器件上的正投影与所述第一薄膜晶体管至少一部分重叠。
技术领域
本揭示涉及显示技术领域,特别是涉及一种有机发光二极管显示器。
背景技术
有机发光二极管(organic light-emitting diode,OLED)显示器拥有广阔的应用前景。OLED显示器是通过将有机半导体发光材料在电场驱动下驱使载流子注入和复合而发光。OLED显示器按照驱动方式可以分为无源驱动和有源驱动两大类,即直接寻址和薄膜晶体管(thin film transistor,TFT)矩阵寻址两类。有源驱动型的OLED显示器也称为有源矩阵有机发光二极管(active-matrix organic light-emitting diode,AMOLED)显示器,其中每个发光单元都由TFT寻址独立控制。对于大屏幕且高分辨率的显示器,通常采用有源矩阵驱动方式。
OLED显示器按照光的出射方式可以分为底发射型和顶发射型两大类。底发射型OLED显示器中的光是从衬底基板的一侧出射,而顶发射型OLED显示器中的光是从顶端出射。然而,若采用底发射型结构的OLED显示器,其开口区域需要避开TFT的设置区域,造成面板开口率的严重缩小,影响显示性能。另一方面,受限于背板的像素界定区、精细金属遮挡板(fine metal mask)开孔、以及对位精度等工程技术因子的制约,即使采用顶发射型结构的OLED显示器,其显示面板的开口率也远远小于80%。因此,现有的AMOLED显示产品仍未充分发挥出OLED显示器的潜力。
有鉴于此,有必要提出一种具有高开口率的OLED显示器,以解决现有技术中存在的问题。
发明内容
为解决上述现有技术的问题,本揭示的目的在于提供一种OLED显示器,通过将底发射型和顶发射型结构整合在一起,使其有效发光区域交错排布,进而增加有效发光面积的比例,和提高显示面板的开口率。
为达成上述目的,本揭示提供一种有机发光二极管显示器,包含:透明基板,包含第一面和相对所述第一面的第二面;顶发射型发光器件,设置在所述透明基板的所述第一面,其中所述顶发射型发光器件包含第一薄膜晶体管;以及底发射型发光器件,设置在所述透明基板的所述第二面,其中所述底发射型发光器件包含第二薄膜晶体管,以及所述底发射型发光器件的所述第二薄膜晶体管在所述顶发射型发光器件上的正投影与所述第一薄膜晶体管至少一部分重叠。
本揭示其中之一优选实施例中,所述顶发射型发光器件与所述底发射型发光器件的光出射方向相同。
本揭示其中之一优选实施例中,所述顶发射型发光器件还包含:第一钝化层,设置在所述第一薄膜晶体管上;第一反射层,设置在所述第一钝化层上,且与所述第一薄膜晶体管电性连接;第一有机发光二极管层,设置在所述第一反射层上;以及第一透明导电层,设置在所述第一有机发光二极管层上。
本揭示其中之一优选实施例中,所述第一反射层作为所述顶发射型发光器件的阳极,以及所述第一透明导电层作为所述顶发射型发光器件的阴极。
本揭示其中之一优选实施例中,所述有机发光二极管显示器包含多个所述顶发射型发光器件,且相邻的两个顶发射型发光器件之间设置有第一像素界定层。
本揭示其中之一优选实施例中,所述底发射型发光器件还包含:第二钝化层,设置在所述第二薄膜晶体管上;第二透明导电层,设置在所述第二钝化层上,且与所述第二薄膜晶体管电性连接;第二有机发光二极管层,设置在所述第二透明导电层上;以及第二反射层,设置在所述第二有机发光二极管层上。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的