[发明专利]有机发光二极管显示器在审
| 申请号: | 201910466602.9 | 申请日: | 2019-05-31 |
| 公开(公告)号: | CN110265436A | 公开(公告)日: | 2019-09-20 |
| 发明(设计)人: | 徐鸣 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52 |
| 代理公司: | 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 | 代理人: | 黄威 |
| 地址: | 518132 广东省深*** | 国省代码: | 广东;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 发光器件 薄膜晶体管 底发射型 顶发射型 透明基板 有机发光二极管显示器 第二面 正投影 | ||
1.一种有机发光二极管显示器,其特征在于,包含:
透明基板,包含第一面和相对所述第一面的第二面;
顶发射型发光器件,设置在所述透明基板的所述第一面,其中所述顶发射型发光器件包含第一薄膜晶体管;以及
底发射型发光器件,设置在所述透明基板的所述第二面,其中所述底发射型发光器件包含第二薄膜晶体管,以及所述底发射型发光器件的所述第二薄膜晶体管在所述顶发射型发光器件上的正投影与所述第一薄膜晶体管至少一部分重叠。
2.如权利要求1的有机发光二极管显示器,其特征在于,所述顶发射型发光器件与所述底发射型发光器件的光出射方向相同。
3.如权利要求1的有机发光二极管显示器,其特征在于,所述顶发射型发光器件还包含:
第一钝化层,设置在所述第一薄膜晶体管上;
第一反射层,设置在所述第一钝化层上,且与所述第一薄膜晶体管电性连接;
第一有机发光二极管层,设置在所述第一反射层上;以及
第一透明导电层,设置在所述第一有机发光二极管层上。
4.如权利要求3的有机发光二极管显示器,其特征在于,所述第一反射层作为所述顶发射型发光器件的阳极,以及所述第一透明导电层作为所述顶发射型发光器件的阴极。
5.如权利要求3的有机发光二极管显示器,其特征在于,所述有机发光二极管显示器包含多个所述顶发射型发光器件,且相邻的两个顶发射型发光器件之间设置有第一像素界定层。
6.如权利要求1的有机发光二极管显示器,其特征在于,所述底发射型发光器件还包含:
第二钝化层,设置在所述第二薄膜晶体管上;
第二透明导电层,设置在所述第二钝化层上,且与所述第二薄膜晶体管电性连接;
第二有机发光二极管层,设置在所述第二透明导电层上;以及
第二反射层,设置在所述第二有机发光二极管层上。
7.如权利要求6的有机发光二极管显示器,其特征在于,所述第二透明导电层作为所述底发射型发光器件的阳极,以及所述第二反射层作为所述底发射型发光器件的阴极。
8.如权利要求6的有机发光二极管显示器,其特征在于,所述第二薄膜晶体管在所述透明基板上的正投影与所述第二透明导电层在所述透明基板上的正投影不重叠或者是仅有在两者连接的部分重叠。
9.如权利要求6的有机发光二极管显示器,其特征在于,所述有机发光二极管显示器包含多个所述底发射型发光器件,且相邻的两个底发射型发光器件之间设置有第二像素界定层。
10.如权利要求1的有机发光二极管显示器,其特征在于,所述顶发射型发光器件还包含第一反射层,以及所述底发射型发光器件还包含第二反射层,其中所述第一反射层在所述透明基板上的正投影与所述第二反射层在所述透明基板上的正投影不重叠。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





