[发明专利]一种制备全无机钙钛矿太阳能电池的磁控溅射方法

说明书

本发明涉及一种制备全无机钙钛矿太阳能电池的磁控溅射方法，包括以下步骤：对衬底进行预处理；在预处理的衬底表面磁控溅射电子传输层，之后继续采用磁控溅射设备使用铯锡合金靶，获得全无机钙钛矿材料；在钙钛矿材料层上磁控溅射太阳能电池空穴传输层；烘干，完成阴极金属电极的沉积，得到全无机钙钛矿太阳能电池。优点是：采用臭氧清洗与磁控溅射氩离子清洗相结合，进一步确保材料表面光洁度。钙钛矿吸收层采用磁控溅射方法，通入碘蒸气，与铯锡等金属离子充分接触，形成具有良好的表面形貌，形成大晶粒和无孔洞的钙钛矿薄膜。

技术领域

本发明涉及一种制备全无机钙钛矿太阳能电池的磁控溅射方法，尤其涉及一种在碘气氛中利用铯锡合金靶制备全无机钙钛矿太阳能电池的磁控溅射方法。

背景技术

有机-无机杂化钙钛矿材料凭借其制备方法简单、带隙可调，吸收系数大、缺陷密度低、光学增益高等优点在光电器件领域具有广阔的应用前景。然而，伴随着有机-无机杂化钙钛矿材料在太阳能电池、发光二极管(LED)、激光等领域的迅猛发展，稳定性差的问题日渐突显，成为阻碍该材料在实际应用中的关键瓶颈。为了提高传统钙钛矿太阳能电池的稳定性与光电转换效率，中国专利公开号：CN 107768524 A，公布了一种高效稳定的钙钛矿太阳能电池及其制备方法，该专利在钙钛矿吸光层表面加了一层防紫外疏水层，首先，这种防紫外疏水层可以起到防潮保护作用，防止钙钛矿吸光层水解；其次，它还可以吸收紫外光，防止钙钛矿吸光层光解，并可将紫外光转化为可见光，加以利用。中国专利公开号：CN105047820 A，公布了一种基于PCBM修饰的ZnO纳米棒阵列的钙钛矿电池及其制备方面，该专利采用PCBM修饰ZnO纳米棒的阵列作为电子传输层，有效的提高了钙钛矿中电子传输性能，且效果显著，也可以一定程度上克服稳定性问题。专利将有机-无机相结合，充分发挥优势，开拓了提高钙钛矿性能的新途径。

近年来，全无机钙钛矿太阳能电池受到了广泛的研究关注。相比于有机-无机杂化钙钛矿材料，全无机钙钛矿材料具有相近甚至更加优异的光学性质，并且在稳定性方面具有明显的优势。中国专利公开号：CN 206148472 U，公布了一种基于超薄金属透明电极的钙钛矿太阳能电池，该专利采用的超薄金属透明电极包括成核籽晶层和超薄金属两层薄膜，有效解决了在大面积柔性材料上制备透明电极的问题，转化效率较高，且具备低成本、制备方法工作简单，可规模化生产。中国专利公开号：CN 106910798 A，公布了一种无机钙钛矿太阳能电池及其制备方法，该专利采用无机钙钛矿CsPbBr₃作为光吸收层，相比于传统的有机卤化物金属钙钛矿，CsPbBr₃对湿度和热具有更高的稳定性，这使得其可以在空气条件下制备，并且在使用过程中能够长时间的保持性能不变，因此降低了对生产条件的要求，为电池的大规模化制备创造了条件，而对无机钙钛矿的研究与应用也将是未来的发展趋势。

另一方面，目前仅有两种比较普遍的方法制备钙钛矿太阳能电池，如利用溶剂法和气相沉积法可以分别用来制备介孔型和平面异质结型钙钛矿太阳能电池。中国专利公开号：CN 103708534 A，公布了一种溶液法制备三碘化铯锡薄膜，该专利依次配比两种溶液混合后滴涂在基片上，经干燥成膜。溶剂法虽然操作简洁，但是不能精确地控制形貌、厚度及均匀性，缺陷多，同时存在有机组分和无机组分失配的现象；制备大尺度器件比较有挑战。而气相法因蒸发速率不同造成无机盐和有机盐配比失衡，并且有机阳离子在高温下的蒸发可能造成设备污染。中国专利公开号：CN 108039393 A，公布了一种全无机钙钛矿型太阳能电池及其制备方法，该专利采用溅射方法在钙钛矿薄膜表面沉积电子传输层，有利于电子的萃取。但是，溅射高能粒子会对钙钛矿薄膜造成一定的损伤，使得钙钛矿层与电子传输层之间形成大量的缺陷态，引入电子复合中心，最终造成电荷的传输中断。中国专利公开号：CN 107863424 A，公布了一种基于钙钛矿薄膜的全无机发光器件及其制备方法，该专利采用气相沉积和溶液法相结合的方法制备吸收层，制备过程较为复杂，且材料表面粗糙度较大，容易造成缺陷失效。中国专利公开号：CN 103706539 A，公布了一种超声喷印法制备三碘化铯锡薄膜的方法，该专利采配比溶液然后在超声喷印过程中进行反应，存在反应过程不充分的问题，且制备的样品与真空粉末沉积法相近，但设备成本较高。