[发明专利]一种铜镁合金及其制备方法

权利要求书

1.一种铜镁合金，其特征在于，铜镁合金中原子百分比为：Mg 2.8%~16.8%，其余为Cu；所述铜镁合金的晶粒为柱状纳米晶，且柱状纳米晶内含有纳米孪晶结构，柱状纳米晶的尺寸为9.7 nm~39.6 nm，所述纳米孪晶的百分比不超过75%；

所述铜镁合金的纳米压痕硬度为2.97GPa~4.09GPa。

2.根据权利要求1所述的铜镁合金，其特征在于：所述Mg的原子百分比为8.2%。

3.一种权利要求1或2所述的铜镁合金的制备方法，其特征在于，包括以下步骤；

步骤1：对基体表面进行清洗烘干；

步骤2：将基体送入磁控溅射镀膜室，然后抽真空；

所述抽真空至背底真空度小于4.0×10^-4 Pa；

步骤3：采用磁控溅射共溅射方法在基体上制备铜镁合金；

所述Cu靶纯度99.99 wt.%，直流电源功率200 W，Mg靶纯度99.97 wt.%，射频电源功率10~45 W，沉积Ar气气压1.0 Pa，沉积温度为室温，基盘转速15r/min，沉积时间5000 s，所得Cu-Mg合金厚度为1.5 μm；

步骤4：将步骤3得到的基体进行真空冷却，得到铜镁合金。

4.根据权利要求3所述的铜镁合金的制备方法，其特征在于，步骤1中所述清洗烘干处理的方法具体如下：

将抛光的基体在丙酮和酒精中依次超声清洗10 min，然后烘干，抛光面的粗糙度小于0.8 nm。

5.根据权利要求3所述铜镁合金的制备方法，其特征在于，步骤3中所述磁控溅射共溅射方法为：Cu靶采用直流电源进行溅射，Mg靶采用射频电源进行溅射。

6.根据权利要求3所述铜镁合金的制备方法，其特征在于，所述基体为硅基体。