[发明专利]芯片封装结构及芯片封装方法

权利要求书

1.一种芯片封装结构，其特征在于，包括：

芯片，所述芯片的背面设有定位槽；

基底，所述基底的上表面上设有定位凸块；所述芯片键合于所述基底的上表面上，且所述定位凸块插设于所述定位槽内；

塑封层，位于所述基底的上表面上，且将所述芯片塑封；

重新布线层，位于所述塑封层的上表面，且与所述芯片电连接；

焊球凸块，位于所述重新布线层的上表面，且与所述重新布线层电连接。

2.根据权利要求1所述的芯片封装结构，其特征在于：所述芯片的正面形成有连接焊垫，所述连接焊垫与所述芯片内部的器件结构电连接；所述连接焊垫与所述重新布线层电连接；所述定位槽位于所述芯片的背面。

3.根据权利要求1所述的芯片封装结构，其特征在于：所述塑封层的上表面与所述芯片的正面相平齐。

4.根据权利要求1所述的芯片封装结构，其特征在于：所述芯片封装结构包括多个所述芯片，多个所述芯片于所述基底的上表面上间隔排布；各所述芯片的背面均形成有多个所述定位槽，所述基底的上表面设有多个所述定位凸块，所述定位凸块与所述定位槽一一对应设置。

5.根据权利要求1所述的芯片封装结构，其特征在于：所述定位槽的深度大于等于所述定位凸块的高度。

6.根据权利要求1所述的芯片封装结构，其特征在于：所述定位凸块包括：

塑封材料层，位于所述基底的上表面上；

种子层，位于所述塑封材料层的上表面。

7.根据权利要求1至6中任一项所述的芯片封装结构，其特征在于：所述重新布线层至少包括：

第一介质层；

金属叠层结构，位于所述第一介质层内，所述金属叠层结构包括多层间隔排布的金属线层及金属插塞，所述金属插塞位于相邻所述金属线层之间，以将相邻的所述金属线层电连接；

所述芯片与所述金属叠层结构相连接，所述焊球凸块与所述金属叠层结构相连接。

8.根据权利要求7所述的芯片封装结构，其特征在于：所述芯片封装结构还包括：

牺牲层，位于所述基底的上表面；

第二介质层，位于所述牺牲层的上表面；

所述定位凸块及所述塑封层均位于所述第二介质层的上表面。

9.一种芯片封装方法，其特征在于，包括如下步骤：

制备芯片，于所述芯片的背面形成定位槽；

提供基底，于所述基底的上表面上形成定位凸块；

将所述芯片键合于所述基底的上表面上，且确保所述定位凸块插设于所述定位槽内；

于所述基底的上表面上形成塑封层，所述塑封层将所述芯片塑封；

于所述塑封层的上表面形成重新布线层，所述重新布线层与所述芯片电连接；

于所述重新布线层的上表面形成焊球凸块，所述焊球凸块与所述重新布线层电连接；

去除所述基底。

10.根据权利要求9所述的芯片封装方法，其特征在于：于所述基底的上表面上形成所述定位凸块包括如下步骤：

于所述基底的上表面上形成塑封材料层；

于所述塑封材料层的上表面形成种子层；

对所述塑封材料层及所述种子层进行图形化即得到所述定位凸块。

11.根据权利要求9所述的芯片封装法，其特征在于：于所述塑封层的上表面形成所述重新布线层包括如下步骤：于所述塑封层的上表面形成第一介质层及金属叠层结构，所述金属叠层结构位于所述第一介质层内，所述金属叠层结构包括多层间隔排布的金属线层及金属插塞，所述金属插塞位于相邻所述金属线层之间，以将相邻的所述金属线层电连接。