[发明专利]互连结构、半导体封装及其制造方法

权利要求书

1.一种互连结构，其包括：

第一电介质层；以及

第二电介质层，其安置于所述第一电介质层上，所述第二电介质层具有均面朝所述第一电介质层的第一表面和第二表面，

其中所述第二电介质层的所述第一表面从所述第二电介质层的所述第二表面凹入且限定凹口，且

所述第一电介质层的一部分安置于所述凹口内。

2.根据权利要求1所述的互连结构，其进一步包括安置于所述第二电介质层的所述第一表面上且在所述凹口内的金属层。

3.根据权利要求2所述的互连结构，其中所述金属层从所述第二电介质层的所述第二表面凹入。

4.根据权利要求2所述的互连结构，其中所述第一电介质层具有面朝所述第二电介质层的所述第一表面且接触所述金属层的第一表面，以及面朝所述第二电介质层的所述第二表面的第二表面。

5.根据权利要求4所述的互连结构，其中所述第一电介质层的所述第一表面从所述第一电介质层的所述第二表面突出。

6.根据权利要求2所述的互连结构，其进一步包括接触所述金属层的导电通孔，其中所述导电通孔由所述第一电介质层包围。

7.根据权利要求2所述的互连结构，其中所述第一电介质层的所述第二表面和所述第二电介质层的所述第一表面之间的距离大于所述金属层的厚度。

8.根据权利要求1所述的互连结构，其中所述第一电介质层的热膨胀系数CTE大于所述第二电介质层的CTE。

9.根据权利要求1所述的互连结构，其中所述第一电介质层的模量大于所述第二电介质层的模量。

10.根据权利要求1所述的互连结构，其中所述第一电介质层包含聚丙烯，且所述第二电介质层包含聚酰胺。

11.一种半导体封装，其包括：

第一互连层，其具有第一导电层和至少部分覆盖所述第一导电层的第一电介质层；以及

第二互连层，其具有第二导电层和至少部分覆盖所述第二导电层的第二电介质层，

其中所述第一互连层至少部分由所述第二互连层包围，且

所述第一电介质层的材料不同于所述第二电介质层的材料。

12.根据权利要求11所述的半导体封装，其中所述第二电介质层的CTE大于所述第一电介质层的CTE。

13.根据权利要求11所述的半导体封装，其中所述第二电介质层的模量大于所述第一电介质层的模量。

14.根据权利要求11所述的半导体封装，其中所述第一导电层的间距小于所述第二导电层的间距。

15.根据权利要求11所述的半导体封装，其中所述第一导电层的间距等于或小于7μm。

16.根据权利要求11所述的半导体封装，其中所述第二电介质层包含聚丙烯，且所述第一电介质层包含聚酰胺。

17.根据权利要求11所述的半导体封装，其中所述第一互连层和所述第二互连层之间的界面包含第一表面和第二表面，所述界面的所述第一表面和所述第二表面是不连续的。

18.根据权利要求17所述的半导体封装，其中所述界面的所述第一表面和所述第二表面彼此平行。