[发明专利]制造半导体器件的方法

说明书

本发明涉及一种制造半导体器件的方法。该制造半导体器件的方法包括：在覆盖晶体管的绝缘膜上形成场板，场板经由绝缘膜电耦合到晶体管的栅极，并且晶体管位于基板上；形成覆盖绝缘膜和场板的氮化硅保护膜；在氮化硅保护膜上形成氧化硅基膜；以及在氧化硅基膜上形成MIM电容器，该MIM电容器包括按顺序堆叠的第一电极、介电膜和第二电极。形成MIM电容器包括：在形成介电膜之后，对场板上的氧化硅基膜执行湿法蚀刻。

相关申请的交叉引用

本申请要求2018年5月29日提交的日本申请No.JP2018-102475的优先权，其全部内容通过引用被合并在此。

技术领域

本公开涉及一种制造半导体器件的方法。

背景技术

当形成高电子迁移率晶体管(HEMT)时，可以提供多层电容器。例如，在日本未经审查的专利公开No.2014-56887中，制造具有被设置在半导体基板上的下电极、介电膜、和上电极的金属-绝缘体-金属(MIM)结构的电容器(MIM电容器)的方法被公开。在日本未经审查的专利公开No.2014-56887中，通过在紧挨着MIM电容器的下方形成氧化硅基膜，能够实现MIM电容器中的漏电流的减小等。去除不与MIM电容器重叠的氧化硅基膜的一部分。

例如，当形成包括基板上的场板的场效应晶体管和日本未经审查的专利公开No.2014-56887中公开的MIM电容器时，场板设置在覆盖场效应晶体管的绝缘膜上。绝缘膜从氧化硅基膜暴露，并且当通过氢氟酸溶液去除氧化硅基膜时，其膜质劣化。结果，栅极和场板之间的耐压变得低于预期，并且场效应晶体管的寿命恶化。

发明内容

根据本公开的一个方面的制造半导体器件的方法包括：在覆盖晶体管的绝缘膜上形成场板，场板经由绝缘膜电耦合到晶体管的栅极，并且晶体管位于基板上；形成覆盖绝缘膜和场板的氮化硅保护膜；在氮化硅保护膜上形成氧化硅基膜；在氧化硅基膜上形成MIM电容器，该MIM电容器包括在氧化硅基膜上依次堆叠的第一电极、介电膜和第二电极。形成MIM电容器包括：在形成介电膜之后，对场板上的氧化硅基膜执行湿法蚀刻。

附图说明

参考附图根据以下对本发明的优选实施例的详细描述，将更好地理解前述和其他目的、方面和优点，其中：

图1是图示通过根据实施例的制造方法制造的半导体器件的横截面图；

图2A和图2B是用于解释根据实施例的制造半导体器件的方法的图；

图3A和图3B是用于解释根据实施例的制造半导体器件的方法的图；

图4A和图4B是用于解释根据实施例的制造半导体器件的方法的图；

图5A至图5C是用于解释第六步骤的图；

图6A至图6C是用于解释第六步骤的图；以及

图7A至图7D是用于解释根据比较示例的制造半导体器件的方法的图。

具体实施方式

下面将参考附图描述根据本公开的实施例的制造半导体器件的方法的具体示例。本公开不限于例示、由权利要求表示、并且旨在将所有修改包括在与权利要求等效的范围和含义内。在以下描述中，在附图的描述中相同的附图标记被给予相同元素，并且将不重复其描述。