[发明专利]制造半导体器件的方法在审
| 申请号： | 201910445078.7 | 申请日： | 2019-05-27 |
| 公开（公告）号： | CN110544630A | 公开（公告）日： | 2019-12-06 |
| 发明（设计）人： | 中野拓真;丸山智己 | 申请（专利权）人： | 住友电工光电子器件创新株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/335 | 分类号： | H01L21/335;H01L23/64;H01L29/778 |
| 代理公司： | 11219 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 李兰;孙志湧<国际申请>=<国际公布>= |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 场板 氧化硅基膜 晶体管 氮化硅保护膜 半导体器件 介电膜 绝缘膜 第二电极 第一电极 绝缘膜电 湿法蚀刻 顺序堆叠 耦合到 覆盖 基板 制造 | ||
1.一种制造半导体器件的方法，包括：
在覆盖晶体管的绝缘膜上形成场板，所述场板经由所述绝缘膜电耦合到所述晶体管的栅极，并且所述晶体管位于基板上；
形成覆盖所述绝缘膜和所述场板的氮化硅保护膜；
在所述氮化硅保护膜上形成氧化硅基膜；以及
在所述氧化硅基膜上形成MIM电容器，所述MIM电容器包括依次堆叠的第一电极、介电膜和第二电极，
其中，形成所述MIM电容器包括：在形成所述介电膜之后对所述场板上的所述氧化硅基膜执行湿法蚀刻。
2.根据权利要求1所述的制造半导体器件的方法，
其中，在对所述氧化硅基膜执行湿法蚀刻之后，所述介电膜的端部对应于剩余的所述氧化硅基膜的檐。
3.根据权利要求1所述的制造半导体器件的方法，
其中，形成所述MIM电容器包括：
使用蒸发方法和剥离方法在所述氧化硅基膜上形成第一电极；
使用等离子体CVD法在所述第一电极上形成氮化硅膜；
形成抗蚀剂图案，所述抗蚀剂图案暴露被定位在除了形成所述MIM电容器的区域之外的区域中的所述氮化硅膜；
通过使用氟基气体的干法蚀刻来去除从所述抗蚀剂图案暴露的所述氮化硅膜，并且形成所述介电膜；以及
使用氢氟酸溶液对从所述介电膜和所述抗蚀剂图案暴露的所述氧化硅基膜执行湿法蚀刻。
4.根据权利要求1所述的制造半导体器件的方法，
其中，形成所述MIM电容器包括：在执行湿法蚀刻之前使用蒸发方法和剥离方法来形成所述第二电极。
5.根据权利要求1所述的制造半导体器件的方法，进一步包括：在完成所述晶体管的形成之前，形成覆盖所述基板的钝化膜。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
