[发明专利]切割片

说明书

本发明为一种切割片，所述切割片(1)具备：基材(2)、叠层于基材(2)的第1面侧的粘合剂层(3)和叠层于粘合剂层(3)的与基材(2)相反面侧的剥离片(6)，其中，基材(2)的第2面的算术平均粗糙度(Ra1)为0.2μm以上，在将切割片(1)在130℃下加热2小时后，基材(2)的第2面的算术平均粗糙度(Ra2)为0.25μm以下。

本申请是申请日为2015年5月18日、申请号为201580030575.0、发明名称为“切割片”的申请的分案申请。

技术领域

本发明涉及半导体晶片等工件的切割，特别是涉及可以用于隐形切割(StealthDicing)的切割片。

本申请主张2014年6月10日在日本申请的日本特愿2014-120034号的优先权，在此引用了其内容。

背景技术

在从半导体晶片等工件制造包含半导体芯片等片状体的加工物时，以往通常一边以对工件清洗等为目的而喷吹液体，一边进行用旋转刀具切断工件而得到片状体的切片刀切割加工。但是，近年来采用了能够用干法分割成片状体的隐形切割(Stealth Dicing)(注册商标；以下相同)加工(专利文献1)。

例如，在专利文献2中公开了一种隐形切割法，该方法包括：将叠层粘合片(叠层了2层由基材和粘合剂层构成的粘合片而形成的片材)粘贴于极薄的半导体晶片，从叠层粘合片侧隔着该叠层粘合片对半导体晶片照射激光，在半导体晶片的内部形成改性部，然后对粘合片进行扩片(expand)，由此沿切割线分割半导体晶片，生产半导体芯片。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本专利第3762409号公报

专利文献2：日本特开2007-123404号公报

发明内容

发明所要解决的课题

如上所述，在对工件照射激光时，激光需要透过粘合片到达工件，因此要求粘合片具有激光透射性。

但是，在切割片的粘合剂层的与基材相反侧，为了保护上述粘合剂层而多数叠层剥离片。以膜卷状态送出上述切割片时，卷成卷状的切割片中基材的与粘合剂层相反侧的面和剥离片的与粘合剂层相反侧的面密合而发生粘连，会发生由膜卷的送出不良，或者基材被转移至卷成卷状的剥离片上，有时无法进行工件的粘贴。

本发明是鉴于上述实际情况而完成的，其目的在于提供一种切割片，所述切割片能够在从卷成卷状的状态送出切割片时抑制粘连的发生，且在激光照射时激光透射性优异。

用于解决课题的方案

为了实现上述目的，第1，本发明提供一种切割片(发明1)，其具备：基材、叠层于所述基材的第1面侧的粘合剂层、以及叠层于所述粘合剂层的与所述基材相反面侧的剥离片，其中，所述基材的第2面的算术平均粗糙度(Ra1)为0.2μm以上，在将所述切割片在130℃下加热2小时后，所述基材的第2面的算术平均粗糙度(Ra2)为0.25μm以下。需要说明的是，在本说明书中，“片”包含例如长条胶带等概念。

根据上述发明(发明1)，在将切割片卷成卷状时，基材的第2面和与所述基材的第2面接触的剥离片不易密合，在送出卷成卷状的切割片时，不易发生粘连。另外，在对切割片加热后从基材的第2面侧照射激光时，激光不会因基材的第2面的凹凸发生散射，从而透过切割片高效地到达工件(半导体晶片)，激光透射性优异。

在上述发明(发明1)中，优选所述基材的第2面的所述加热后的算术平均粗糙度(Ra2)小于所述算术平均粗糙度(Ra1)(发明2)。

在上述发明(发明1、2)中，优选所述基材的熔点为90～180℃(发明3)。