[发明专利]切割片有效
| 申请号： | 201910444689.X | 申请日： | 2015-05-18 |
| 公开（公告）号： | CN110211912B | 公开（公告）日： | 2023-06-02 |
| 发明（设计）人： | 佐伯尚哉;山本大辅;米山裕之;稻男洋一 | 申请（专利权）人： | 琳得科株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/683 | 分类号： | H01L21/683;C09J7/24;C09J7/30 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 王利波 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 切割 | ||
【权利要求书】：
1.一种切割片，其具备：
基材、
叠层于所述基材的第1面侧的粘合剂层、以及
叠层于所述粘合剂层的与所述基材相反面侧的剥离片，其中，
所述基材的第2面的算术平均粗糙度Ra1为0.2μm以上，
在将所述切割片在130℃下加热2小时后，所述基材的第2面的算术平均粗糙度Ra2为0.25μm以下，
并且，所述基材的第2面的所述加热后的算术平均粗糙度Ra2小于所述算术平均粗糙度Ra1。
2.根据权利要求1所述的切割片，其中，所述基材的熔点为90～180℃。
3.根据权利要求1所述的切割片，其中，所述基材的熔点为90～131℃。
4.根据权利要求1～3中任一项所述的切割片，其中，所述基材在130℃下的储能模量为1～100MPa。
5.根据权利要求1～3中任一项所述的切割片，其中，所述基材在所述加热后对波长1064nm的光线透射率为40％以上。
6.根据权利要求1～3中任一项所述的切割片，其中，所述基材是由乙烯和丙烯的共聚物构成的膜。
7.根据权利要求1～3中任一项所述的切割片，所述切割片具备夹具用粘合剂层，所述夹具用粘合剂层叠层于所述粘合剂层的与所述基材侧相反侧的边缘部。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
