[发明专利]一种TFT阵列制作方法与待转移TFT器件结构

说明书

本申请提供了一种TFT阵列制作方法与待转移TFT器件结构，涉及半导体领域。通过基于一衬底制作图形化TFT器件的功能层与支撑结构，其中，功能层包括牺牲层，支撑结构连接于衬底与功能层，然后去除牺牲层，以通过支撑结构将图形化TFT器件的功能层支撑于衬底上方，最后将图形化TFT器件的功能层转移至一目标基板，以形成TFT阵列。本申请提供的TFT阵列制作方法与待转移TFT器件结构具有能够制备高性能的电子元件及有效提高器件转移的成功率和良率的优点。

技术领域

本申请涉及半导体领域，具体而言，涉及一种TFT阵列制作方法与待转移TFT器件结构。

背景技术

随着近年来小型智能化的可穿戴电子设备的发展，产品柔性化将成为发展趋势。相对于传统电子，柔性电子具有更大的灵活性，能够在一定程度上适应不同的工作环境，满足设备的形变要求，但是相应的技术要求同样制约了柔性电子的发展。

为适应柔性电子产品，电子元件大部分都采用柔韧性好、可低温制备的有机材料制备，但有机材料易受环境中水氧的影响，性能不稳定。并且由于柔性基板的限制，大部分柔性电子器件的制备工艺温度在300度以下，导致器件性能受限，器件稳定性及寿命远不及刚性衬底高温工艺制备的器件。

发明内容

本申请的目的在于提供一种TFT阵列制作方法，以解决现有技术中柔性电子产品的器件性能不稳定且寿命较短的问题。

本申请的另一目的在于提供待转移TFT器件结构，以解决现有技术中柔性电子产品的器件性能不稳定且寿命较短的问题。

为了实现上述目的，本申请实施例采用的技术方案如下：

一方面，本申请实施例提供了一种TFT阵列制作方法，所述TFT阵列制作方法包括：

基于一衬底制作图形化TFT器件的功能层与支撑结构，其中，所述功能层包括牺牲层，所述支撑结构连接于所述衬底与所述功能层；

去除所述牺牲层，以通过所述支撑结构将所述图形化TFT器件的功能层支撑于所述衬底上；

将所述图形化TFT器件的功能层转移至一目标基板，以形成TFT阵列。

另一方面，本发明实施例提供了一种待转移TFT器件结构，所述待转移TFT器件结构包括衬底、图形化TFT器件的功能层与支撑结构，所述功能层包括牺牲层，所述图形化TFT器件的功能层通过所述牺牲层与所述支撑结构所述衬底连接。

相对于现有技术，本申请实施例具有以下有益效果：

本发明实施例提供了一种TFT阵列制作方法与待转移TFT器件结构，通过基于一衬底制作图形化TFT器件的功能层与支撑结构，其中，功能层包括牺牲层，支撑结构连接于衬底与功能层，然后去除牺牲层，以通过支撑结构将图形化TFT器件的功能层支撑于衬底上，最后将图形化TFT器件的功能层转移至一目标基板，以形成TFT阵列。一方面，由于本申请在衬底上制作图形化TFT器件的功能层后，能够将其再转移至目标基板上，因此当目标基板选择柔性基板时，其能够兼容高温工艺与柔性及柔性基板，进而制备高性能的电子元件。另一方面，由于本发明提供的TFT阵列制作方法中会使用支撑结构进行支撑，且支撑结构不覆盖单个TFT器件整体区域，而是粘附于边缘区域，可有效支撑器件的同时不限制器件的转移，因此调节器件拾起的速度和力度可有效提高器件转移的成功率和良率。

为使本申请的上述目的、特征和优点能更明显易懂，下文特举较佳实施例，并配合所附附图，作详细说明如下。

附图说明

为了更清楚地说明本申请实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，应当理解，以下附图仅示出了本申请的某些实施例，因此不应被看作是对范围的限定，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其它相关的附图。