[发明专利]一种TFT阵列制作方法与待转移TFT器件结构

权利要求书

1.一种TFT阵列制作方法，其特征在于，所述TFT阵列制作方法包括：

基于一衬底制作图形化TFT器件的功能层与支撑结构，其中，所述功能层包括牺牲层，所述支撑结构连接于所述衬底与所述功能层；

去除所述牺牲层，以通过所述支撑结构将所述图形化TFT器件的功能层支撑于所述衬底上方；

将所述图形化TFT器件的功能层转移至一目标基板，以形成TFT阵列；其中，所述目标基板为柔性基板；

所述基于一衬底制作图形化TFT器件的功能层与支撑结构的步骤包括：

基于所述衬底依次制作图形化的牺牲层、缓冲层、半导体层、源电极、漏电极、介电层、栅电极、封装层以及支撑结构；

所述支撑结构的截面成T字型，且所述支撑结构的两端均分别与一个所述TFT器件的功能层连接。

2.如权利要求1所述的TFT阵列制作方法，其特征在于，每个所述TFT器件的功能层均包括封装层，所述封装层覆盖于功能层的表面，所述将所述图形化TFT器件的功能层转移至一目标基板的步骤包括：

利用转移装置与每个TFT器件的封装层接触粘合；

利用转移装置将所述图形化TFT器件的功能层拾起，以将所述TFT器件转移至所述目标基板；

将所述图形化TFT器件的功能层与所述目标基板接触粘合，并分离所述转移装置，以在所述目标基板上形成TFT阵列。

3.如权利要求1所述的TFT阵列制作方法，其特征在于，每个所述TFT器件的功能层均包括封装层，所述封装层覆盖于功能层的表面，在所述将所述图形化TFT器件的功能层转移至一目标基板的步骤之后，所述TFT阵列制作方法包括：

对每个TFT器件的封装层进行开孔，以露出电极区域。

4.如权利要求1所述的TFT阵列制作方法，其特征在于，所述牺牲层的厚度为10-200nm；

所述缓冲层的厚度为50-300nm；

所述半导体层的厚度为10-50nm；

所述源电极与所述漏电极的厚度为30-80nm；

所述介电层的厚度为50-200nm。

5.如权利要求1所述的TFT阵列制作方法，其特征在于，所述衬底包括Si衬底，所述目标基板包括CPI基板。

6.一种待转移TFT器件结构，其特征在于，所述待转移TFT器件结构包括衬底、图形化TFT器件的功能层与支撑结构，所述功能层包括牺牲层，所述图形化TFT器件的功能层通过所述牺牲层与所述支撑结构、所述衬底连接；所述待转移TFT器件结构用于在将功能层转移至目标基板后形成TFT阵列，所述目标基板为柔性基板；所述支撑结构的截面成T字型，且所述支撑结构的两端均分别与一个所述TFT器件的功能层连接。

7.如权利要求6所述的待转移TFT器件结构，其特征在于，每个所述TFT器件的功能层均包括封装层，所述封装层设置于所述功能层的远离所述衬底的一侧。