[发明专利]一种像素驱动电路及其制备方法、OLED显示面板

说明书

本发明涉及显示技术领域，公开了一种像素驱动电路及其制备方法、OLED显示面板、显示装置，该像素驱动电路包括：驱动晶体管和存储电容，其中，驱动晶体管包括：依次层叠设置于衬底基板上的有源层、栅绝缘层、栅极、层间介质层和源漏电极；存储电容包括：依次层叠设置的第一电极、层间介质层和第二电极，第一电极与源漏电极中的漏电极电连接，第二电极与源漏电极同层设置且相互绝缘，第二电极与栅极电连接；层间介质层位于第一电极和第二电极之间部分的厚度小于其它部分的厚度。该像素驱动电路中，在电容区的层间介质层的厚度较薄，则电容区的面积不发生变化，电容区的层面介质层厚度减小，电容增大，有效提高驱动晶体管效率，提高像素亮度。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，特别涉及一种像素驱动电路及其制备方法、OLED显示面板、显示装置。

背景技术

在OLED显示领域，在阵列基板的TFT工艺中，由于高PPI的技术不断发展，要求阵列基板中的金属的厚度越来越厚，相应的绝缘层的厚度也越来越厚，由于绝缘层的厚度增加，相应的每个子像素单元中的电容区域的绝缘层厚度也会增加，如此，就会导致子像素单元的存储电容Cst减小，从而容易导致TFT效率下降。

发明内容

本发明公开了一种像素驱动电路及其制备方法、OLED显示面板、显示装置，该像素驱动电路中，对比于现有技术中在电容区的部位的层间介质层，本发明实施例中的在电容区的层间介质层的厚度较薄，则电容区的面积不发生变化，电容区的层面介质层厚度减小，电容增大，可以有效提高驱动晶体管的效率，提高像素亮度。

为达到上述目的，本发明提供以下技术方案：

一种像素驱动电路，包括：驱动晶体管和存储电容，其中，

所述驱动晶体管包括：依次层叠设置于衬底基板上的有源层、栅绝缘层、栅极、层间介质层和源漏电极；

所述存储电容包括：依次层叠设置的第一电极、所述层间介质层和第二电极，所述驱动晶体管的有源层中导体化部分的一部分构成所述第一电极，所述第一电极与所述驱动晶体管的源漏电极中的漏电极电连接，所述第二电极与所述源漏电极同层设置且相互绝缘，所述第二电极与所述栅极电连接；

所述层间介质层位于所述第一电极和第二电极之间部分的厚度小于其它部分的厚度。

上述像素驱动电路中包括有驱动晶体管和存储电容，驱动晶体管包括一次层叠设置的有源层、栅绝缘层、栅极、层间介质层和源漏电极，上述驱动晶体管的有源层中与栅极相对的部分为半导体，需要与源漏电极连接的部分为导体化，存储电容包括依次层叠设置的第一电极、上述层间介质层和第二电极，第一电极和第二电极相对的区域会构成一个电容区，其中，第一电极可以为上述驱动晶体管的有源层中导体化部分中的一部分构成，且第一电极与驱动晶体管的源漏电极中的漏电极电连接，即，第一电极可以由有源层中与驱动晶体管的源漏电极中的漏电极对应的部分的一部分构成，即有源层中与源漏电极中的漏电极对应的导体化部分划分为两部分，一部分与源漏电极中的漏电极相对电连接，另一部分构成第一电极，第二电极为与驱动晶体管的源漏电极同层设置且相互绝缘的一个电极，且第二电极与驱动晶体管的栅极电连接，其中，层间介质层中位于第一电极与第二电极之间且与第一电极和第二电极相对的部分的厚度小于其它部分的厚度，即，层间介质层中位于电容区的部分的厚度比其它部分薄，相比于现有技术中，层间介质层的厚度一致，则对比于现有技术中在电容区的部位的层间介质层，本发明中的在电容区的层间介质层的厚度较薄，则电容区的面积不发生变化，电容区的层面介质层厚度减小，电容增大，可以有效提高驱动晶体管的效率，提高像素亮度。

优选地，所述层间介质层位于所述第一电极与所述第二电极之间部分的厚度大于或等于且小于等于

优选地，所述层间介质层位于所述第一电极与所述第二电极之间部分的厚度为