[发明专利]一种像素驱动电路及其制备方法、OLED显示面板有效
申请号: | 201910444513.4 | 申请日: | 2019-05-27 |
公开(公告)号: | CN110164373B | 公开(公告)日: | 2021-01-22 |
发明(设计)人: | 黄勇潮;成军;王东方;刘军;张扬;王庆贺;周斌;何敏 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;合肥鑫晟光电科技有限公司 |
主分类号: | G09G3/3225 | 分类号: | G09G3/3225;H01L27/32 |
代理公司: | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人: | 郭润湘 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 像素 驱动 电路 及其 制备 方法 oled 显示 面板 | ||
1.一种像素驱动电路,其特征在于,包括:驱动晶体管和存储电容,其中,
所述驱动晶体管包括:依次层叠设置于衬底基板上的有源层、栅绝缘层、栅极、层间介质层和源漏电极;
所述存储电容包括:依次层叠设置的第一电极、所述层间介质层和第二电极,所述驱动晶体管的有源层中导体化部分的一部分构成所述第一电极,所述第一电极与所述驱动晶体管的源漏电极中的漏电极电连接,所述第二电极与所述源漏电极同层设置且相互绝缘,所述第二电极与所述栅极电连接;
所述层间介质层位于所述第一电极和第二电极之间部分的厚度小于其它部分的厚度;
所述第一电极位于所述有源层中半导体部分的一侧,且所述第一电极和所述有源层中半导体部分在所述衬底基板上的正投影位于所述源漏电极中的源电极和漏电极在所述衬底基板上的正投影之间。
2.根据权利要求1所述的像素驱动电路,其特征在于,所述层间介质层位于所述第一电极与所述第二电极之间部分的厚度大于或等于且小于等于
3.根据权利要求2所述的像素驱动电路,其特征在于,所述层间介质层位于所述第一电极与所述第二电极之间部分的厚度为
4.根据权利要求1所述的像素驱动电路,其特征在于,还包括开关晶体管,所述开关晶体管的栅极与第一扫描信号线电连接,所述开关晶体管的源漏电极与所述驱动晶体管的源漏电极同层设置,所述开关晶体管的源漏电极中的源电极与数据线电连接,所述开关晶体管的源漏电极中的漏电极与所述驱动晶体管的栅极电连接。
5.根据权利要求4所述的像素驱动电路,其特征在于,还包括用于对所述像素驱动电路进行数据电压补偿的补偿晶体管,所述补偿晶体管的栅极与第二扫描信号线电连接,且所述补偿晶体管的源漏电极中的源电极与所述驱动晶体管的漏电极电连接,所述补偿晶体管的源漏电极中的漏电极与补偿检测线电连接。
6.一种如权利要求1-5任一项所述的像素驱动电路的制备方法,其特征在于,包括:
在衬底基板上依次形成驱动晶体管的有源层,并对所述有源层进行部分导体化,其中,所述有源层中导体化的一部分构成存储电容的第一电极;
在所述有源层上依次形成栅绝缘层、所述驱动晶体管的栅极和层间介质层;
在所述层间介质层形成之后,对所述层间介质层中与所述存储电容的第一电极对应的部位进行减薄处理,以使所述层间介质层中与所述第一电极对应部分的厚度小于其它部分的厚度;
在所述层间介质层上形成所述驱动晶体管的源漏电极和与所述第一电极相对设置的第二电极,所述第二电极与所述驱动晶体管的源漏电极相互绝缘。
7.根据权利要求6所述的制备方法,其特征在于,采用干刻工艺对所述层间介质层中与所述第一电极对应部位进行减薄处理。
8.一种OLED显示面板,其特征在于,包括如权利要求1-5任一项所述的像素驱动电路。
9.一种显示装置,其特征在于,包括如权利要求8所述的OLED显示面板。
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