[发明专利]一种TFT阵列基板的制作方法及阵列基板

说明书

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种TFT阵列基板的制作方法及阵列基板，其中所述方法包括如下步骤：在基板上形成沉积第一金属层；在第一金属层上依次沉积栅极绝缘层、半导体有源层和蚀刻阻挡层；在蚀刻阻挡层的上涂布光阻，通过黄光制程透过第一灰阶光罩进行曝光，以第一金属层为光罩通过背光源进行背面曝光；对曝光后的光阻进行显影、蚀刻，并在蚀刻完成后剥离剩余光阻；在蚀刻阻挡层上再次涂布光阻，通过相同的第一灰阶光罩进行曝光显影，并蚀刻出ES过孔和DC过孔；剥离再次涂布的光阻，在栅极绝缘层和蚀刻阻挡层沉积并蚀刻出第二金属层。本方案中能够减少光罩的使用，简化阵列基板工艺制程，降低制造成本的同时，还能够提高产品的生产良率。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种TFT阵列基板的制作方法及阵列基板。

背景技术

目前非晶态金属氧化物半导体发展迅速。其中，非晶InGaZnO(IGZO)凭借其简单的制备工艺以及优异的光电学性能而成为TFT制备的理想材料，以其制备的TFT有着高迁移率、高开关比等特点，具有替代a-Si的潜力。较a-Si TFT相比，IGZO-TFT的载流子迁移率可以达到10～30cm2/V·S，大大提高TFT对像素电极的充放电效率和响应速度。更为重要的是，IGZO制程和现有的a-Si生产线具有很好的兼容性，较生产工艺更为复杂、设备投资更高的低温多晶硅(LTPS)具有更低的投资成本。

有源矩阵有机发光二极管(AMOLED)被称为下一代的显示技术，与技术更为成熟的LCD领域相比，其具有广色域、高对比度、超薄设计和低显示屏能耗等优势。从技术发展和成本来看，较a-Si和LTPS而言，IGZO可满足AMOLED显示阵列基板驱动需求，并且其具有更低的Ioff和抑制漏电流的能力，更有利于实现TFT器件的小型化，实现超高分辨率Array基板的制作。

现有的AMOLED的Array基板，一般包括玻璃基板Glass、栅极金属层GE、栅极绝缘层GI、半导体有源层SE、蚀刻阻挡层ES、源漏极金属SD、保护绝缘层IP、有机平坦层OP、像素电极AN、像素电极有机保护层PD和有机间隙物PS。各个制程中不仅需要特有的光罩Mask，而且除有机层外，基本每个制程均需要经过成膜、曝光、蚀刻、光阻剥离等四个制程站点，不仅在生产成本方面高，整个工艺过程复杂且耗时长，人力物力投入量大，更为重要的事，制程站点的越多越容易造成阵列基板的良率降低。

发明内容

为此，需要提供一种TFT阵列基板的制作方法及阵列基板，来解决现有技术中的阵列基板生产工艺复杂，不仅制作成本高，而且产品良率不高的问题。

为实现上述目的，发明人提供了一种TFT阵列基板的制作方法，包括如下步骤：

在基板上形成沉积第一金属层并制作栅极驱动电路；

在第一金属层上依次沉积栅极绝缘层、半导体有源层和蚀刻阻挡层；

在蚀刻阻挡层的上涂布光阻，通过黄光制程透过第一灰阶光罩进行曝光，其中第一灰阶光罩具有两种不同光线穿透率的第一孔道和第二孔道，且第一孔道的光线穿透率小于第二孔道；

以第一金属层为光罩通过背光源进行背面曝光；

对曝光后的光阻进行显影、蚀刻，并在蚀刻完成后剥离剩余光阻；

在蚀刻阻挡层上再次涂布光阻，通过相同的第一灰阶光罩进行曝光显影，并蚀刻出ES过孔和DC过孔；

剥离再次涂布的光阻，在栅极绝缘层和蚀刻阻挡层沉积并蚀刻出第二金属层。

进一步的，所述“在栅极绝缘层和蚀刻阻挡层沉积并蚀刻出第二金属层”步骤之后还包括：

在第二金属层和栅极绝缘层上形成钝化层，并蚀刻出显露第二金属层表面的IP过孔；

在钝化层上形成有机平坦层，并在IP过孔上方曝光出显露第二金属层表面的OP过孔；