[发明专利]一种TFT阵列基板的制作方法及阵列基板

权利要求书

1.一种TFT阵列基板的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：

在基板上形成沉积第一金属层并制作栅极驱动电路；

在第一金属层上依次沉积栅极绝缘层、半导体有源层和蚀刻阻挡层；

在蚀刻阻挡层的上涂布光阻，通过黄光制程透过第一灰阶光罩进行曝光，其中第一灰阶光罩具有两种不同光线穿透率的第一孔道和第二孔道，且第一孔道的光线穿透率小于第二孔道；

以第一金属层为光罩通过背光源进行背面曝光；

对曝光后的光阻进行显影，对半导体有源层进行湿蚀刻和对蚀刻阻挡层进行干蚀刻，并在蚀刻完成后剥离剩余光阻；

在蚀刻阻挡层上再次涂布光阻，通过相同的第一灰阶光罩进行曝光显影，并蚀刻出ES过孔和DC过孔，所述DC过孔为穿透过半导体有源层和蚀刻阻挡层、栅极绝缘层的孔道；

剥离再次涂布的光阻，在栅极绝缘层和蚀刻阻挡层沉积并蚀刻出第二金属层，形成源漏极金属层；所述第一孔道位于源漏极金属层的正上方。

2.根据权利要求1所述的TFT阵列基板的制作方法，其特征在于，所述“在栅极绝缘层和蚀刻阻挡层沉积并蚀刻出第二金属层”步骤之后还包括：

在第二金属层和栅极绝缘层上形成钝化层，并蚀刻出显露第二金属层表面的IP过孔；

在钝化层上形成有机平坦层，并在IP过孔上方曝光出显露第二金属层表面的OP过孔；

在有机平坦层上形成像素电极，且像素电极依次经过IP过孔、OP过孔连接第二金属层；

在平坦层和像素电极之上沉积有机隔垫层；

通过黄光制程透过第二灰阶光罩进行曝光，显影出支撑垫块和PD过孔，其中第二灰阶光罩具有两种不同光线穿透率的第三孔道和第四孔道，且第三孔道的光线穿透率大于第四孔道。

3.根据权利要求2所述的TFT阵列基板的制作方法，其特征在于，所述有机隔垫层为像素电极有机保护层和有机间隙层组成的复合有机层。

4.根据权利要求2所述的TFT阵列基板的制作方法，其特征在于，所述像素电极材质为ITO或者由ITO/Ag/ITO材质组成夹心层结构。

5.根据权利要求2所述的TFT阵列基板的制作方法，其特征在于，所述OP过孔的直径大于IP过孔。

6.根据权利要求2所述的TFT阵列基板的制作方法，其特征在于，所述钝化层为SIOx或者SINx。

7.根据权利要求1所述的TFT阵列基板的制作方法，其特征在于，所述“在蚀刻阻挡层上再次涂布光阻，通过相同的第一灰阶光罩进行曝光显影，并蚀刻出ES过孔和DC过孔”步骤中还包括：

对半导体有源层上ES过孔处的蚀刻区域进行掺杂或者用等离子体导体化处理。

8.根据权利要求1所述的TFT阵列基板的制作方法，其特征在于，所述光阻为正型光阻。

9.根据权利要求1所述的TFT阵列基板的制作方法，其特征在于，所述半导体有源层为IGZO有源层。

10.一种阵列基板，其特征在于，所述阵列基板根据权利要求1-9任意一项所述的方法制作而成。