[发明专利]图像传感器及其制造方法以及成像装置有效
申请号: | 201910443201.1 | 申请日: | 2019-05-27 |
公开(公告)号: | CN110120399B | 公开(公告)日: | 2021-04-13 |
发明(设计)人: | 龙海凤;黄晓橹;藤井光一;倪凌云 | 申请(专利权)人: | 德淮半导体有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人: | 张荣海 |
地址: | 223300 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 图像传感器 及其 制造 方法 以及 成像 装置 | ||
本公开涉及图像传感器及其制造方法以及成像装置。提供了一种图像传感器,包括:像素,所述像素包括辐射感测元件;以及位于相邻像素之间的隔离结构,所述隔离结构被配置成对在所述隔离结构中传播的辐射进行会聚以减小相邻像素之间的辐射串扰。
技术领域
本公开涉及图像传感器及其制造方法以及成像装置。
背景技术
图像传感器可用于对辐射(例如,光辐射,包括但不限于可见光、红外线、紫外线、X射线等)进行感测,从而生成对应的电信号(例如,图像)。它被广泛地应用在数码相机、移动通信终端、安保设施和其他成像设备中。
在图像传感器中的相邻像素之间,在一个像素中传播的辐射中的一部分辐射可能会传播到另一个像素,从而造成辐射串扰并降低成像质量。因此,需要提出一种新的技术来减小辐射串扰。
发明内容
根据本公开的一个方面,提供了一种图像传感器,包括:像素,所述像素包括辐射感测元件;以及位于相邻像素之间的隔离结构,所述隔离结构被配置成对在所述隔离结构中传播的辐射进行会聚以减小相邻像素之间的辐射串扰。
根据本公开的另一个方面,提供了一种成像装置,包括:上述图像传感器;和透镜,用于将外部辐射会聚并引导到所述图像传感器上。
根据本公开的再一方面,提供了一种用于制造图像传感器的方法,包括:提供衬底;在衬底中形成辐射感测元件;形成包括所述辐射感测元件的像素;在相邻像素之间形成隔离结构,所述隔离结构被形成为对在所述隔离结构中传播的辐射进行会聚以减小相邻像素之间的辐射串扰。
通过以下参照附图对本公开的示例性实施例的详细描述,本公开的其它特征及其优点将会变得更为清楚。
附图说明
构成说明书的一部分的附图描述了本公开的实施例,并且连同说明书一起用于解释本公开的原理。
参照附图,根据下面的详细描述,可以更加清楚地理解本公开,其中:
图1是示出本公开的一些实施例的图像传感器的示意性剖面图。
图2是示出本公开的一些实施例的图像传感器的示意性剖面图。
图3是示出本公开的一些实施例的图像传感器的示意性剖面图。
图4是示出本公开的一些实施例的图像传感器的示意性剖面图。
图5是示出本公开的一些实施例的图像传感器的示意性剖面图。
图6是示出本公开的一些实施例的图像传感器的示意性剖面图。
图7是示出本公开的一些实施例的图像传感器的示意性剖面图。
图8是示出本公开的一些实施例的图像传感器的示意性剖面图。
图9是示出本公开的一些实施例的图像传感器的示意性剖面图。
图10是示出本公开的一些实施例的图像传感器的制造方法的流程图。
图11是示出了与图10所示的制造方法的部分步骤对应的图像传感器的示意剖面图。
图12是示出了与图10所示的制造方法的部分步骤对应的图像传感器的示意剖面图。
图13是示出了与图10所示的制造方法的部分步骤对应的图像传感器的示意剖面图。
图14是示出了与图10所示的制造方法的部分步骤对应的图像传感器的示意剖面图。
图15是示出了与图10所示的制造方法的部分步骤对应的图像传感器的示意剖面图。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的