[发明专利]图像传感器及其制造方法以及成像装置

权利要求书

1.一种图像传感器，其特征在于包括：

像素，所述像素包括辐射感测元件；以及

位于相邻像素之间的隔离结构，所述隔离结构被配置成对在所述隔离结构中传播的辐射进行会聚以减小相邻像素之间的辐射串扰，

所述像素还包括位于所述辐射感测元件的上方的辐射过滤器，以及

所述隔离结构包括位于相邻像素的辐射感测元件之间的第一隔离结构和位于相邻像素的辐射过滤器之间的第二隔离结构，第二隔离结构在第一隔离结构的上方。

2.根据权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，

第一隔离结构的材料的折射率大于第二隔离结构的材料的折射率，以及第一隔离结构的上端被形成为具有向上凸起的曲面形状的表面的第一透镜部。

3.根据权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，

第一隔离结构的材料的折射率小于第二隔离结构的材料的折射率，以及第一隔离结构的上端被形成为具有向下凹陷的曲面形状的表面的第一透镜部。

4.根据权利要求1至3中的任何一项所述的图像传感器，其特征在于，

第二隔离结构的上端被形成为具有向上凸起的曲面形状的表面的第二透镜部。

5.根据权利要求4所述的图像传感器，其特征在于，

所述像素还包括位于辐射过滤器的上方的微透镜，以及

第二透镜部的材料与所述微透镜的材料相同。

6.根据权利要求2或3所述的图像传感器，其特征在于，

第一透镜部的宽度等于第一隔离结构的宽度。

7.根据权利要求4所述的图像传感器，其特征在于，

第二透镜部的宽度等于第二隔离结构的宽度。

8.一种成像装置，其特征在于包括：

根据权利要求1-7中的任何一项所述的图像传感器；和

透镜，用于将外部辐射会聚并引导到所述图像传感器上。

9.一种用于制造图像传感器的方法，其特征在于包括：

提供衬底；

在衬底中形成辐射感测元件；

形成包括所述辐射感测元件的像素；

在相邻像素之间形成隔离结构，所述隔离结构被形成为对在所述隔离结构中传播的辐射进行会聚以减小相邻像素之间的辐射串扰，

其中，形成像素的步骤还包括：

在所述辐射感测元件的上方形成辐射过滤器，以及

其中，所述隔离结构包括位于相邻像素的辐射感测元件之间的第一隔离结构和位于相邻像素的辐射过滤器之间的第二隔离结构，第二隔离结构在第一隔离结构的上方。

10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，

第一隔离结构的材料的折射率大于第二隔离结构的材料的折射率，以及，

所述方法还包括：

通过刻蚀将第一隔离结构的上端形成为具有向上凸起的曲面形状的表面的第一透镜部。

11.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，

第一隔离结构的材料的折射率小于第二隔离结构的材料的折射率，以及，

所述方法还包括：

通过刻蚀将第一隔离结构的上端形成为具有向下凹陷的曲面形状的表面的第一透镜部。

12.根据权利要求9-11中的任何一项所述的方法，其特征在于，

在第二隔离结构的上端形成具有向上凸起的曲面形状的表面的第二透镜部。

13.根据权利要求12所述的方法，其特征在于形成像素的步骤还包括：

在辐射过滤器的上方形成微透镜，以及

其中，使用与所述微透镜的材料相同的材料通过回流或刻蚀形成所述第二透镜部。