[发明专利]图形化衬底、外延片、制作方法、存储介质及LED芯片

说明书

本发明涉及一种图形化衬底、外延片、制作方法、存储介质及LED芯片，所述图形化衬底应用于Micro LED，由于其本体上设置有至少一个可容置至少一部分外延过程中掉落的外延材料的容置槽。本发明所提供的图形化衬底，在MOCVD炉内高速旋转成型外延层的过程中所产生的多余外延材料，至少一部分可掉落至容置槽内，而不会残留在外延层上，改善了外延层厚度不均匀的问题，进而提高了波长均匀性，即本发明所提供的图形化衬底至少改善了波长不均匀的问题。

技术领域

本发明涉及LED技术领域，特别是涉及一种图形化衬底、外延片、制作方法、存储介质及LED芯片。

背景技术

Micro LED(微型发光二极管)技术，即LED微缩化矩阵化技术，指的是在一个芯片上集成高密度微小尺寸的LED阵列；LED显示屏每一个像素可定址、单独驱动点亮，MicroLED显示屏可看成是户外LED显示屏的微缩版，将像素点距离从毫米降低至微米级。

Micro LED的优点非常多，它具有无机LED的高效率、高亮度、高可靠度及反应时间快等优点，并且具有自发光无需背光源的特性，更具有节能、体积小、机构简易等优势。

通常，Micro LED显示器的制作方法为：先在蓝宝石类（还有其他如SiC、Si等)的基板上通过分子束外延生长出来LED微器件，然后把LED发光微器件转移到玻璃基板上。由于制作LED微器件的蓝宝石基板尺寸基本上就是硅晶元的尺寸，而制作显示器则是尺寸大得多的玻璃基板，因此必然需要进行多次转运。因此，Micro LED的核心技术是纳米级LED的转运，而不是制作LED这个技术本身，但制作技术同样会对后续转运产生影响，比如：为方便巨量转移，提高良率，应用于Micro-LED的外延片波长均匀性要求在1nm以内，目前的工艺只能做到3nm左右。

LED外延片是将衬底装载在MOCVD（金属有机化学气相沉积）炉中，在腔室内高速旋转，以TMGa等三甲基镓源和氮气分别作为Ga源和N源，以超纯氢气作为载气，在衬底上外延生长出三元或四元GaN类半导体层。

为了腔室内各衬底外延层均匀，各衬底在外延层生长过程中会一直旋转，但因为一直旋转，离心力的作用使单片外延层上厚度会产生不均，外延层厚度不均至少会导致波长的不均匀。

可见，现有技术还有待于改进和发展。

发明内容

基于此，有必要针对上述技术问题，提供一种图形化衬底、外延片、制作方法、存储介质及LED芯片，旨在解决现有技术中LED外延板在MOCVD炉内高速旋转导致外延层厚度不均匀，从而导致波长不均匀的问题。

本发明的技术方案如下：

一种图形化衬底，应用于Micro LED，其中，所述图形化衬底包括：衬底本体，所述衬底本体上设置有至少一个容置槽，所述容置槽可容置至少一部分外延过程中掉落的外延材料。

在进一步地优选方案中，所述容置槽包括：呈扇环形的第一槽体，当所述图形化衬底放置于MOCVD炉的载体的指定位置时，所述第一槽体的轴心线与所述载体的轴心线相同。

在进一步地优选方案中，所述容置槽设置有多个，多个容置槽沿所述衬底本体的中心线依次排布，且排布密度由一端向另一端依次递减。

在进一步地优选方案中，所述衬底本体上设置有多个支撑柱体，每两个相邻的支撑柱体之间形成有一个容置槽。

在进一步地优选方案中，所述衬底本体的上表面设置有缓冲层，所述容置槽形成于所述缓冲层。

一种包括如上所述图形化衬底的外延板，所述外延板还包括：外延层，所述容置槽形成于所述外延层与图形化衬底之间。

一种如上所述外延片的制作方法，其中，所述制作方法包括步骤：