[发明专利]图形化衬底、外延片、制作方法、存储介质及LED芯片有效

专利信息
申请号: 201910441026.2 申请日: 2019-05-24
公开(公告)号: CN110190163B 公开(公告)日: 2020-04-28
发明(设计)人: 林伟瀚;杨梅慧;梁邦兵;杨鑫 申请(专利权)人: 康佳集团股份有限公司
主分类号: H01L33/20 分类号: H01L33/20;H01L33/00
代理公司: 深圳市君胜知识产权代理事务所(普通合伙) 44268 代理人: 王永文;刘文求
地址: 518053 广东省深圳市南山区粤海街*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 图形 衬底 外延 制作方法 存储 介质 led 芯片
【权利要求书】:

1.一种图形化衬底,应用于Micro LED,其特征在于,所述图形化衬底包括:衬底本体,所述衬底本体上设置有至少一个容置槽,所述容置槽可容置至少一部分外延过程中掉落的外延材料;所述容置槽设置有多个,多个容置槽沿所述衬底本体的中心线依次排布,且排布密度由一侧向另一侧依次递减;当图形化衬底放置于MOCVD炉的载体时,容置槽设置密度小的一侧靠近所述载体的中心,另一侧则背离所述载体的中心。

2.根据权利要求1所述的图形化衬底,其特征在于,所述容置槽包括:呈扇环形的第一槽体,当所述图形化衬底放置于所述MOCVD炉的载体的指定位置时,所述第一槽体的轴心线与所述载体的轴心线相同。

3.根据权利要求1所述的图形化衬底,其特征在于,所述衬底本体上设置有多个支撑柱体,每两个相邻的支撑柱体之间形成有一个容置槽。

4.根据权利要求1至3中任意一项所述的图形化衬底,其特征在于,所述衬底本体的上表面设置有缓冲层,所述容置槽形成于所述缓冲层。

5.根据权利要求1至3中任意一项所述的图形化衬底,其特征在于,所述容置槽通过光刻制程完成。

6.一种包括如权利要求1至5中任意一项所述图形化衬底的外延片,其特征在于,所述外延片还包括:外延层,所述容置槽形成于所述外延层与图形化衬底之间。

7.一种如权利要求6所述外延片的制作方法,其特征在于,所述制作方法包括步骤:

根据预设的图形化制程,在衬底本体或衬底本体上表面的缓冲层上沿衬底本体的一侧向另一侧加工出多个容置槽,形成图形化衬底,多个容置槽的排布密度由一侧向另一侧依次递减;将所述图形化衬底装载至MOVCD炉内的载体上,使容置槽设置密度小的一侧靠近所述载体的中心,另一侧则背离所述载体的中心,并加工生成外延层。

8.一种存储介质,所述存储介质上存储有计算机程序,其特征在于,所述计算机程序被处理器执行时实现如权利要求7所述的制作方法的步骤。

9.一种LED芯片,其特征在于,所述LED芯片包括如权利要求1至5中任意一项所述的图形化衬底。

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