[发明专利]多层陶瓷电子组件及制造多层陶瓷电子组件的方法在审
| 申请号： | 201910409851.4 | 申请日： | 2019-05-16 |
| 公开（公告）号： | CN110676052A | 公开（公告）日： | 2020-01-10 |
| 发明（设计）人： | 车炅津;李承熙;吴范奭;金广植;金东勳;李种晧;文先载 | 申请（专利权）人： | 三星电机株式会社 |
| 主分类号： | H01G4/30 | 分类号： | H01G4/30;H01G4/008 |
| 代理公司： | 11286 北京铭硕知识产权代理有限公司 | 代理人： | 王春芝;李雪雪 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 内电极 电子组件 多层陶瓷 陶瓷主体 添加剂 导电金属 电连接 介电层 颗粒数 外电极 制造 | ||
1.一种多层陶瓷电子组件，包括：
陶瓷主体，包括介电层和内电极；以及
外电极，形成在所述陶瓷主体的外侧上并且电连接到所述内电极，
其中，所述内电极包含导电金属和添加剂，并且设置在所述内电极内部的所述添加剂的颗粒数基于每μm2的所述内电极在7至21的范围内，所述范围包括两个端点值。
2.如权利要求1所述的多层陶瓷电子组件，其中，所述添加剂的粒径在5nm至200nm的范围内，所述范围不包括两个端点值。
3.如权利要求1所述的多层陶瓷电子组件，其中，在整个所述内电极中，所述内电极内部每μm2的所述添加剂的颗粒数在7至21的范围内，所述范围包括两个端点值。
4.如权利要求1所述的多层陶瓷电子组件，其中，所述添加剂是非金属材料和金属氧化物中的至少一种。
5.如权利要求1所述的多层陶瓷电子组件，其中，所述添加剂在所述内电极的中央部中比在所述内电极的边界部中设置的更稠密。
6.如权利要求1所述的多层陶瓷电子组件，其中，所述内电极具有80％或更大的连接性，其中，所述内电极的所述连接性被定义为所述内电极的其中实际地形成有所述内电极的部分的长度与相应的所述内电极的总长度之比。
7.一种用于制造多层陶瓷电子组件的方法，所述方法包括：
制备陶瓷生片；
通过包含导电金属和添加剂的导电膏形成内电极图案；
层叠具有形成在其上的内电极图案的陶瓷生片，以形成陶瓷层叠体；以及
烧结所述陶瓷层叠体，以形成包括介电层和内电极的陶瓷主体，
其中，设置在所述内电极内部的所述添加剂的颗粒数基于每μm2的所述内电极在7至21的范围中，所述范围包括两个端点值。
8.如权利要求7所述的用于制造多层陶瓷电子组件的方法，其中，所述导电金属在具有涂覆在所述导电金属的表面上的所述添加剂的状态下被包括在导电膏中。
9.如权利要求7所述的用于制造多层陶瓷电子组件的方法，其中，在烧结之后设置在所述内电极内部的所述添加剂的粒径在5nm至200nm的范围中，所述范围不包括两个端点值。
10.如权利要求7所述的用于制造多层陶瓷电子组件的方法，其中，在整个所述内电极中，设置在每μm2的所述内电极内部的所述添加剂的颗粒数在7至21的范围中，所述范围包括两个端点值。
11.如权利要求7所述的用于制造多层陶瓷电子组件的方法，其中，所述添加剂在所述内电极的中央部中比在所述内电极的边界部中设置的更稠密。
12.如权利要求7所述的用于制造多层陶瓷电子组件的方法，其中，所述内电极具有80％或更大的连接性，其中，所述内电极的所述连接性被定义为所述内电极的其中实际地形成有所述内电极的部分的长度与相应的所述内电极的总长度之比。
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