[发明专利]提高晶圆抛光平坦度的方法及硅片加工方法

说明书

本发明提供一种提高晶圆抛光平坦度的方法及硅片加工方法，提高晶圆抛光平坦度的方法包括：提供若干个来料晶圆；对来料晶圆按照预设参数进行分组，以形成若干个预设抛光组，各预设抛光组中的各个来料晶圆的预设参数的数值的差异在预设波动范围之内；分别对每一组预设抛光组中的来料晶圆进行抛光。本发明在抛光加工前对来料进行一定规则的分选分组分档，控制一起抛光加工的硅片，使得其差异性较低，使得加工时对硅片影响小，可以获得更好的硅片平坦度，实现硅片与抛光加工更好的匹配，分组分档的预设参数可以基于几何测量获得，可以是硅片加工过程中的几何测量步骤，获取方式简便，可以简便有效的提高晶圆抛光平坦度，节约成本及工艺周期。

技术领域

本发明属于集成电路制备技术领域，特别是涉及一种提高晶圆抛光平坦度的方法及硅片加工方法。

背景技术

化学机械抛光技术(Chemical Mechanical Polishing，CMP)是集成电路制造中获得全局平坦化的一种手段。CMP属于化学作用和机械作用相结合的技术，其过程相当复杂，影响因素很多。随着超大规模集成电路的不断发展，化学机械抛光，特别是双面化学机械抛光开始应用于线宽0.09-0.13um工艺的300mm硅片的加工，实现去除其由于前道加工而残留的微缺陷及表面损伤，并使表面可以实现较好平坦度的光亮镜面。

如今，半导体集成电路制造技术日新月异，芯片特征尺寸已向越来越小的方向发展，特征线宽为28nm的技术也已走向市场，14nm也已在发展中。随着芯片需求的微细化和互联多层化，大硅片表面的平坦度(flatness)要求也越来越高，大硅片的平坦度如ESFQR(Edge Site Frontsurface referenced least sQuares/Range，边缘部位正面基准最小二乘/范围)、SFQR(Site Frontsurface referenced least sQuares/Range，部位正面基准最小二乘/范围)、GBIR(Global Backsurface-referenced Ideal plane/Range，整体背面-基准理想平面/范围)等参数规格需求促使硅片的抛光加工工艺提高。现有的双面化学机械抛光技术为实现高平坦度，一般会对抛光设备本身的自身改造，Slurry(抛光液)的使用，Pad(抛光垫)的使用方面进行进一步的优化，设备加工出良好平整度的硅片，一般是通过优化抛光工艺，如优化抛光的速度、加工的压力等，及精确的控制系统，如电气控制、温度控制等，但上述方式其成本较高，控制复杂，难以有效实现晶圆抛光平坦度的提高。

因此，如何提供一种提高晶圆抛光平坦度的方法及硅片加工方法，以解决现有技术中的上述技术问题实属必要。

发明内容

鉴于以上所述现有技术的缺点，本发明的目的在于提供一种提高晶圆抛光平坦度的方法及硅片加工方法，以解决现有技术中难以有效实现晶圆抛光平坦度提高等问题。

为实现上述目的及其他相关目的，本发明提供一种提高晶圆抛光平坦度的方法，所述方法包括如下步骤：

提供若干个来料晶圆；

对所述来料晶圆按照预设参数进行分组，以形成若干个预设抛光组，其中，各所述预设抛光组中的各个所述来料晶圆的所述预设参数的数值的差异在预设波动范围之内；及

分别对每一组所述预设抛光组中的所述来料晶圆进行抛光。

作为本发明的一种可选方案，所述预设参数包括晶圆翘曲度、晶圆弯曲度、晶圆总厚度偏差以及晶圆厚度中的至少一种，其中，当所述预设参数选择所述晶圆厚度时，所述晶圆厚度包括晶圆中心厚度、晶圆最大厚度、晶圆最小厚度以及晶圆平均厚度中的至少一种。