[发明专利]提高晶圆抛光平坦度的方法及硅片加工方法

权利要求书

1.一种提高晶圆抛光平坦度的方法，其特征在于，所述方法包括如下步骤：

提供若干个来料晶圆；

对所述来料晶圆按照预设参数进行分组，以形成若干个预设抛光组，其中，各所述预设抛光组中的各个所述来料晶圆的所述预设参数的数值的差异在预设波动范围之内；及

分别对每一组所述预设抛光组中的所述来料晶圆进行抛光。

2.根据权利要求1所述的提高晶圆抛光平坦度的方法，其特征在于，所述预设参数包括晶圆翘曲度、晶圆弯曲度、晶圆总厚度偏差以及晶圆厚度中的至少一种，其中，当所述预设参数选择所述晶圆厚度时，所述晶圆厚度包括晶圆中心厚度、晶圆最大厚度、晶圆最小厚度以及晶圆平均厚度中的至少一种。

3.根据权利要求2所述的提高晶圆抛光平坦度的方法，其特征在于，当所述预设参数包括所述晶圆中心厚度时，所述预设波动范围小于等于1.2微米；当所述预设参数包括所述晶圆弯曲度时，所述预设波动范围包括同负且小于等于5微米；当所述预设参数包括所述晶圆翘曲度时，所述预设波动范围小于等于3微米；当所述预设参数包括所述晶圆总厚度偏差时，所述预设波动范围小于等于1微米。

4.根据权利要求1-3中任意一项所述的提高晶圆抛光平坦度的方法，其特征在于，对每一组所述预设抛光组中的所述来料晶圆进行抛光的工艺包括双面化学机械抛光以及最终抛光中的至少一种。

5.根据权利要求4所述的提高晶圆抛光平坦度的方法，其特征在于，当对所述来料晶圆均进行所述双面化学机械抛光及所述最终抛光时，依次进行所述双面化学机械抛光和所述最终抛光，且在二者之间还包括步骤：对进行所述双面化学机械抛光后的所述预设抛光组中的所述来料晶圆按照所述预设参数进行再分组，以形成若干个再抛光组，各所述预设抛光组中的各个所述来料晶圆的所述预设参数的数值的差异在预定波动范围之内，然后分别对每一组所述再抛光组中的所述来料晶圆进行所述最终抛光。

6.一种硅片加工方法，其特征在于，所述加工方法包括：

提供若干个待处理硅片，并对所述待处理硅片进行减薄；

对减薄后的待处理硅片进行几何测量，以获得若干个经过所述几何测量的来料晶圆；

对所述来料晶圆按照预设参数进行分组，以形成若干个预设抛光组，其中，各所述预设抛光组中的各个所述来料晶圆的所述预设参数的数值差异在预设波动范围之内，且所述预设参数及其数值基于所述几何测量的结果获得；及

分别对每一组所述预设抛光组中的所述来料晶圆进行抛光，以获得加工硅片。

7.根据权利要求6所述的硅片加工方法，其特征在于，所述预设参数包括晶圆翘曲度、晶圆弯曲度、晶圆总厚度偏差以及晶圆厚度中的至少一种，其中，当所述预设参数选择所述晶圆厚度时，所述晶圆厚度包括晶圆中心厚度、晶圆最大厚度、晶圆最小厚度以及晶圆平均厚度中的至少一种。

8.根据权利要求6所述的硅片加工方法，其特征在于，对所述待处理硅片进行所述减薄之后且在进行所述几何测量之前还包括步骤：对所述待处理硅片进行去应力蚀刻；所述待处理硅片基于单晶硅原料切割得到。

9.根据权利要求6-8中任意一项所述的硅片加工方法，其特征在于，对每一组所述预设抛光组中的所述来料晶圆进行抛光的工艺包括双面化学机械抛光以及最终抛光中的至少一种。

10.根据权利要求9所述的硅片加工方法，其特征在于，当对所述来料晶圆均进行所述双面化学机械抛光及所述最终抛光时，依次进行所述双面化学机械抛光和所述最终抛光，且在二者之间还包括步骤：对进行所述双面化学机械抛光后的所述预设抛光组中的所述来料晶圆按照所述预设参数进行再分组，以形成若干个再抛光组，各所述预设抛光组中的各个所述来料晶圆的所述预设参数的数值的差异在预定波动范围之内，然后分别对每一组所述再抛光组中的所述来料晶圆进行所述最终抛光。

11.根据权利要求9所述的硅片加工方法，其特征在于，对每一组所述预设抛光组中的所述来料晶圆进行抛光的工艺还包括对所述来料晶圆进行边缘抛光。