[发明专利]硅片贴合气泡数量评估方法及图像传感器结构制备方法

说明书

本发明提供一种硅片贴合气泡数量的评估方法以及图像传感器结构的制备方法，硅片贴合气泡数量的评估方法包括基于待评估硅片上预设长度内硅片厚度变化均匀性来评估待评估硅片上产生的气泡数量。通过上述方案，本发明在硅片贴合之前对硅片的贴合气泡数量进行预估，可以在工艺前预判气泡数量，从而提供工艺的准确性，提高得到产品的良率，本发明基于现有设备输出硅片厚度形貌，并对其获取的数据进行处理，从而预估贴合气泡的数量，预估方式简便有效，提高工作效率。

技术领域

本发明属于集成电路制备技术领域，特别是涉及一种硅片贴合气泡数量评估方法及图像传感器结构制备方法。

背景技术

在半导体制造业，随着微细化发展，对于各器件结构的制备要求也越来越严苛。在半导体器件结构的制备过程中，往往会遇到将两片晶圆进行键合、粘附以及贴附等过程，在上述工艺过程当中，往往会产生气泡(bubble)，从而降低产品良率，一般可以评估气泡的数量、宽度以及外沿位置。其中，在半导体制造业，晶圆片的应用有许多，近年来如Back-SideIlluminated CIS，它具有光路短，灵敏度高，串扰小的优点，金属布线的自由度以集成SOC等，但在其制备过程中，在边缘(edge)的区域会出现bubble，降低产品良率，目前，一般控制方法可以是建立气泡监控方法、晶圆键合前进行优化平坦表面处理、减少键合前界面的颗粒以及对设备进行优化等，上述方法在工艺、复杂性以及控制效果上难以达到理想的结果。

因此，如何提供一种硅片贴合气泡数量评估方法及图像传感器结构制备方法以解决现有技术中的上述技术问题实属必要。

发明内容

鉴于以上所述现有技术的缺点，本发明的目的在于提供一种硅片贴合气泡数量评估方法及图像传感器结构制备方法，以解决现有技术中难以有效预先了解并控制键合界面处的气泡，从而导致产品良率下降等问题。

为实现上述目的及其他相关目的，本发明提供一种硅片贴合气泡数量的评估方法，所述评估方法包括基于待评估硅片上预设长度内硅片厚度变化均匀性来评估所述待评估硅片上产生的气泡数量。

作为本发明的一种可选方案，所述硅片厚度变化均匀性基于所述预设长度内单位长度斜率的变化或单位长度高度差的变化获取。

作为本发明的一种可选方案，当所述硅片厚度变化均匀性基于所述预设长度内单位长度斜率的变化获取时，所述单位长度斜率的变化包括各单位长度斜率的标准差、各单位长度斜率的最大值、各单位长度斜率的最小值、各单位长度斜率的中位数以及各单位长度斜率的平均值中的任意一种。

作为本发明的一种可选方案，所述单位长度介于0.2mm-25mm之间。

作为本发明的一种可选方案，所述预设长度基于所述待评估硅片的厚度形貌获取，所述厚度形貌包括半径方向上所述待评估硅片的平均厚度变化以及所述待评估硅片某一角度沿半径方向上的厚度变化中的任意一种。

作为本发明的一种可选方案，当所述厚度形貌选择半径方向上所述待评估硅片的平均厚度变化时，所述平均厚度选自于以所述待评估硅片的圆心为中心的同心圆上若干个点的厚度的平均值。

作为本发明的一种可选方案，所述待评估硅片上所述预设长度内所述硅片厚度变化均匀性的获取方法包括：

量测出所述待评估硅片的厚度形貌；

于量测出所述厚度形貌的所述待评估硅片上定义出所述预设长度；

于所述预设长度内定义一单位长度，使得所述预设长度包括若干个所述单位长度；

基于所述厚度形貌计算出各所述单位长度的斜率；以及

基于得到的所述斜率计算所述预设长度内所有所述单位长度的斜率的标准差，以获取所述预设长度内所述硅片厚度变化均匀性。