[发明专利]硅片贴合气泡数量评估方法及图像传感器结构制备方法在审

专利信息
申请号: 201910402699.7 申请日: 2019-05-15
公开(公告)号: CN111952210A 公开(公告)日: 2020-11-17
发明(设计)人: 何昆哲 申请(专利权)人: 上海新昇半导体科技有限公司
主分类号: H01L21/67 分类号: H01L21/67;H01L27/146
代理公司: 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 代理人: 佟婷婷
地址: 201306 上海市浦东*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 硅片 贴合 气泡 数量 评估 方法 图像传感器 结构 制备
【权利要求书】:

1.一种硅片贴合气泡数量的评估方法,其特征在于,所述评估方法包括基于待评估硅片上预设长度内硅片厚度变化均匀性来评估所述待评估硅片上产生的气泡数量。

2.根据权利要求1所述的硅片贴合气泡数量的评估方法,其特征在于,所述硅片厚度变化均匀性基于所述预设长度内单位长度斜率的变化或单位长度高度差的变化获取。

3.根据权利要求2所述的硅片贴合气泡数量的评估方法,其特征在于,当所述硅片厚度变化均匀性基于所述预设长度内单位长度斜率的变化获取时,所述单位长度斜率的变化包括各单位长度斜率的标准差、各单位长度斜率的最大值、各单位长度斜率的最小值、各单位长度斜率的中位数以及各单位长度斜率的平均值中的任意一种。

4.根据权利要求2所述的硅片贴合气泡数量的评估方法,其特征在于,所述单位长度介于0.2mm-25mm之间。

5.根据权利要求1所述的硅片贴合气泡数量的评估方法,其特征在于,所述预设长度基于所述待评估硅片的厚度形貌获取,所述厚度形貌包括半径方向上所述待评估硅片的平均厚度变化以及所述待评估硅片某一角度沿半径方向上的厚度变化中的任意一种。

6.根据权利要求4所述的硅片贴合气泡数量的评估方法,其特征在于,当所述厚度形貌选择半径方向上所述待评估硅片的平均厚度变化时,所述平均厚度选自于以所述待评估硅片的圆心为中心的同心圆上若干个点的厚度的平均值。

7.根据权利要求1所述的硅片贴合气泡数量的评估方法,其特征在于,所述待评估硅片上所述预设长度内所述硅片厚度变化均匀性的获取方法包括:

量测出所述待评估硅片的厚度形貌;

于量测出所述厚度形貌的所述待评估硅片上定义出所述预设长度;

于所述预设长度内定义一单位长度,使得所述预设长度包括若干个所述单位长度;

基于所述厚度形貌计算出各所述单位长度的斜率;以及

基于得到的所述斜率计算所述预设长度内所有所述单位长度的斜率的标准差,以获取所述预设长度内所述硅片厚度变化均匀性。

8.根据权利要求1-7中任意一项所述的硅片贴合气泡数量的评估方法,其特征在于,所述预设长度选自于自所述待评估硅片的中心至边缘的任意的径向长度。

9.一种图像传感器结构的制备方法,其特征在于,所述制备方法包括如下步骤:

提供器件硅片;

提供载体硅片,并采用如权利要求1-8中任意一项所述的评估方法对所述载体硅片的贴合气泡数量进行评估;以及

将所述器件硅片与符合预设评估标准的载体硅片进行键合,以制备所述图像传感器。

10.根据权利要求9所述的图像传感器结构的制备方法,其特征在于,所述器件硅片包括叠置的金属互连层及感光层,其中,所述金属互连层一侧与所述载体硅片相键合;将所述器件硅片与所述载体硅片进行键合后还包括步骤:将所述器件硅片远离所述载体硅片的一侧进行减薄,形成减薄处理表面;对所述减薄处理表面进行钝化,以形成钝化层;以及于所述钝化层上制备防反射涂层,以制备所述图像传感器结构。

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