[发明专利]带电粒子束描绘装置及带电粒子束描绘方法

说明书

本发明的实施方式涉及带电粒子束描绘装置及带电粒子束描绘方法。带电粒子束描绘装置具备：描绘室，容纳载置描绘对象物的台；束照射部，向载置在上述台上的上述描绘对象物照射带电粒子束；台驱动部，使上述台移动；温度分布计算部，基于上述台的移动履历信息，计算由上述描绘室内的热源带来的上述描绘对象物的温度分布；变形量计算部，基于载置在上述台上的上述描绘对象物的约束条件和计算出的上述温度分布，计算上述描绘对象物的变形量；以及位置修正部，基于计算出的上述变形量，将向上述描绘对象物的带电粒子束的照射位置修正。上述束照射部基于由上述位置修正部修正后的照射位置照射上述带电粒子束。

技术领域

本发明涉及带电粒子束描绘装置及带电粒子束描绘方法。

背景技术

通过多重图案化(multi－patterning)使晶片曝光时的分辨率提高的光刻技术正受到关注。在多重图案化中，由于曝光时的对位精度要求严格，所以制造作为向晶片转印LSI图案时的母版的掩模的电子线描绘装置的束照射位置的精度(也称作全局位置精度)很重要。全局位置精度变差的原因之一，是描绘中的描绘对象物(坯料)的温度变形。

作为距描绘对象物较近的热源，有物镜块(block)的磁透镜线圈及对准线圈、描绘室的真空排气泵等。虽然实施了借助水冷的除热及热屏蔽等的对策，但不能完全防止由这些热辐射带来的向描绘对象物的热流入。这些热流入引起描绘中的描绘对象物的温度变形，引起全局位置精度的变差。

发明内容

本发明的目的是提供一种能够提高向描绘对象物的束照射位置的精度的带电粒子束描绘装置及带电粒子束描绘方法。

根据本技术方案，提供一种带电粒子束描绘装置，具备：描绘室，容纳载置描绘对象物的台；束照射部，向载置在上述台上的上述描绘对象物照射带电粒子束；台驱动部，使上述台移动；温度分布计算部，基于上述台的移动履历信息，计算由上述描绘室内的热源带来的上述描绘对象物的温度分布；变形量计算部，基于载置在上述台上的上述描绘对象物的约束条件和计算出的上述温度分布，计算上述描绘对象物的变形量；以及位置修正部，基于计算出的上述变形量，将向上述描绘对象物的带电粒子束的照射位置修正；上述束照射部基于由上述位置修正部修正后的照射位置照射上述带电粒子束。

附图说明

图1是表示第1实施方式的带电粒子束描绘装置1的概略结构的框图。

图2是说明条纹和子区域的图。

图3A是表示描绘对象物6的温度分布的实测结果的图。

图3B是表示使用(1)～(3)式的温度分布的计算结果的图。

图4是表示温度分布和掩模基板的位移量的计算结果的图。

图5是表示第1实施方式的描绘位置修正处理的流程图。

图6是表示用3处支承部40支承描绘对象物6的例子的图。

图7是说明作为约束点的支承部的图。

图8是表示第2实施方式的描绘位置修正处理的流程图。

图9(a)是表示栅格的图，图9(b)是表示构成栅格的描绘图案的图。

图10A是表示栅格图案的一变形例的图。

图10B是表示栅格图案的另一变形例的图。

图10C是表示栅格图案的另一变形例的图。

图11是表示图8的步骤S11的详细的处理步骤的流程图。

图12是示意地表示图11的步骤S12～S14的处理步骤的图。

图13A是表示1S图案的设计位置和1S图案的实际位置的位置误差的图。