[发明专利]一种非易失存储器读处理方法及装置

权利要求书

1.一种非易失存储器读处理方法，其特征在于，所述方法包括：

在对待处理存储块执行读操作时，确定选中的目标字线；

确定所述待处理存储块中边沿字线的导通阈值电压；其中，所述边沿字线为所述待处理存储块中的起始字线，和/或，末尾字线；

对所述目标字线施加第一电压，且，对所述边沿字线施加第二电压；其中，所述第二电压大于所述第一电压，且所述第二电压与所述导通阈值电压的电压差不大于预设电压值；所述预设电压值为使得所述边沿字线导通的电压；

在所述待处理存储块对应的选通管施加第五电压；其中，所述第五电压减去所述选通管的导通阈值电压得到的差值不小于第二设定值；所述选通管为：选择所述待处理存储块进行读操作或写操作或擦除操作的场效应单元。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，还包括：

对所述待处理存储块中的其他字线施加第三电压，其中，所述第三电压大于所述第二电压，所述其他字线为：所述待处理存储块中除了所述边沿字线和所述目标字线之外的其他字线。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：

在存在与所述边沿字线相邻的仿制字线的情况下，对所述仿制字线施加第四电压；其中，所述第四电压与所述第二电压的差值不大于第一设定值，所述仿制字线为：不参与所述待处理存储块的读操作的字线；所述第一设定值为使得通过所述仿制字线让所述边沿字线存在相邻的两条字线的数值。

4.根据权利要求1-3任一所述的方法，其特征在于，所述待处理存储块包括：64个字线WL，所述边沿字线包括：WL0，和/或，WL63。

5.一种非易失存储器读处理装置，其特征在于，所述装置包括：

目标字线确定模块，用于在对待处理存储块执行读操作时，确定选中的目标字线；

导通阈值电压确定模块，用于确定所述待处理存储块中边沿字线的导通阈值电压；其中，所述边沿字线为所述待处理存储块中的起始字线，和/或，末尾字线；

第一电压施加模块，用于对所述目标字线施加第一电压，且，对所述边沿字线施加第二电压；其中，所述第二电压大于所述第一电压，且所述第二电压与所述导通阈值电压的电压差不大于预设电压值；所述预设电压值为使得所述边沿字线导通的电压；

第四电压施加模块，用于在所述待处理存储块对应的选通管施加第五电压；其中，所述第五电压减去所述选通管的导通阈值电压得到的差值不小于第二设定值；所述选通管为：选择所述待处理存储块进行读操作或写操作或擦除操作的场效应单元。

6.根据权利要求5所述的装置，其特征在于，还包括：

第二电压施加模块，用于对所述待处理存储块中的其他字线施加第三电压，其中，所述第三电压大于所述第二电压，所述其他字线为：所述待处理存储块中除了所述边沿字线和所述目标字线之外的其他字线。

7.根据权利要求6所述的装置，其特征在于，还包括：

第三电压施加模块，用于在存在与所述边沿字线相邻的仿制字线的情况下，对所述仿制字线施加第四电压；其中，所述第四电压与所述第二电压的差值不大于第一设定值，所述仿制字线为：不参与所述待处理存储块的读操作的字线；所述第一设定值为使得通过所述仿制字线让所述边沿字线存在相邻的两条字线的数值。

8.根据权利要求5-7任一所述的装置，其特征在于，所述待处理存储块包括：64个字线WL，所述边沿字线包括：WL0，和/或，WL63。