[发明专利]掩膜板、蒸镀装置、蒸镀方法以及掩膜板中蒸镀开口的设计方法有效

专利信息
申请号: 201910399344.7 申请日: 2019-05-14
公开(公告)号: CN110066975B 公开(公告)日: 2021-09-14
发明(设计)人: 杨晓宇;罗昶;段芳芳;嵇凤丽 申请(专利权)人: 京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司
主分类号: C23C14/04 分类号: C23C14/04;C23C14/24;C23C14/54
代理公司: 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 代理人: 张静尧
地址: 100015 *** 国省代码: 北京;11
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 掩膜板 装置 方法 以及 掩膜板中蒸镀 开口 设计
【权利要求书】:

1.一种掩膜板,其特征在于,所述掩膜板设置有多个蒸镀开口、以及至少一个第一检测用开口;所述第一检测用开口的尺寸小于所述蒸镀开口的尺寸;

所述第一检测用开口靠近至少一个所述蒸镀开口设置;

所述蒸镀开口在所述掩膜板中的位置采用如下方法得到:

以第一掩膜板为依据,得到所述掩膜板;其中,所述第一掩膜板包括多行多列的第一蒸镀开口,所述掩膜板的多个蒸镀开口与所述第一掩膜板的多个第一蒸镀开口一一对应;

获取第一掩膜板放置在蒸镀装置中时,第一掩膜板与蒸镀源之间的距离H1,第一掩膜板与待蒸镀基板之间的距离H2;其中,第一蒸镀开口包括相互平行且沿第一方向延伸的第一边,以及相互平行且沿第二方向延伸的第二边,第一方向和第二方向交叉;针对任一个所述第一蒸镀开口,设每条第一边与所述蒸镀源沿垂直第一方向的距离为S,计算与每条第一边一一对应的补偿值,该补偿值=H2×S/H1;设每条第二边与所述蒸镀源沿垂直第二方向的距离为L,计算与每条第二边一一对应的补偿值,该补偿值=H2×L/H1

将所述第一蒸镀开口的每条第一边依次分别沿垂直第一方向,向靠近蒸镀源的一侧平移,平移的距离为与每条第一边一一对应的补偿值;第一蒸镀开口的第一边平移后的位置为所述蒸镀开口的第一边的位置;

将所述第一蒸镀开口的每条第二边依次分别沿垂直第二方向,向靠近蒸镀源的一侧平移,平移的距离为与每条第二边一一对应的补偿值;所述第一蒸镀开口的第二边平移后的位置为蒸镀开口的第二边的位置。

2.根据权利要求1所述的掩膜板,其特征在于,在所述掩膜板长度方向的两侧边缘还至少设置有两个第二检测用开口。

3.根据权利要求1所述的掩膜板,其特征在于,所述第一检测用开口为多个;

每个所述蒸镀开口至少对应一个所述第一检测用开口。

4.根据权利要求3所述的掩膜板,其特征在于,每个所述蒸镀开口对应两个所述第一检测用开口,且该两个第一检测用开口分别设置在所述蒸镀开口的对角位置处;或者,该两个第一检测用开口分别设置在蒸镀开口的相对两边侧。

5.根据权利要求1所述的掩膜板,其特征在于,多个所述蒸镀开口分为多个蒸镀开口组,每个蒸镀开口组中包括2×2个所述蒸镀开口;

在每个所述蒸镀开口组中任意相邻的两个所述蒸镀开口之间均设置有一个所述第一检测用开口。

6.根据权利要求5所述的掩膜板,其特征在于,位于不同所述蒸镀开口组且任意相邻的两个所述蒸镀开口之间,还设置有一个所述第一检测用开口。

7.根据权利要求6所述的掩膜板,其特征在于,所述第一检测用开口的形状为矩形。

8.根据权利要求7所述的掩膜板,其特征在于,位于上下相邻的两行蒸镀开口之间的第一检测用开口,沿行方向,其长度与所述蒸镀开口的长度相等;

位于左右相邻的两列蒸镀开口之间的第一检测用开口,沿列方向,其宽度与所述蒸镀开口的宽度相等。

9.一种蒸镀装置,其特征在于,包括蒸镀腔室、蒸镀源、待蒸镀基板承载板、以及权利要求1-8任一项所述的掩膜板;

所述掩膜板设置于所述蒸镀源的上方,所述待蒸镀基板承载板设置于所述掩膜板的上方。

10.一种蒸镀方法,其特征在于,包括:

利用如权利要求9所述的蒸镀装置,在待蒸镀基板上与所述蒸镀装置中掩膜板的蒸镀开口对应的蒸镀区蒸镀形成膜层,同时,在待蒸镀基板上与所述掩膜板的第一检测用开口对应的检测区蒸镀形成检测图案;所述检测图案包括位于所述检测图案中间的膜厚保证区以及位于所述膜厚保证区边缘的阴影区,所述膜厚保证区的膜层厚度大于阴影区的膜层厚度;

判断所述检测图案中膜厚保证区的中心与所述检测区的中心的距离是否在预设范围内;

若否,根据所述检测图案中膜厚保证区的中心与所述检测区的中心的相对位置,平移所述掩膜板,以减小所述检测图案中膜厚保证区的中心与所述检测区的中心的距离。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司,未经京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201910399344.7/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top