[发明专利]半导体存储装置及其驱动方法

说明书

一种半导体存储装置，包括存储单元单位和内部电压稳定装置。存储单元单元包括行译码器、列译码器和存储单元阵列。内部电压稳定装置包括：操作终止确定单元，被配置为基于外部输入电压确定半导体存储装置的操作是否终止并输出操作终止命令；终止电压生成单元，被配置为基于操作终止确定单元的操作终止的确定结果来生成具有预设电压值的终止电压；和开关单元，包括多个开关，所述多个开关响应于所述操作终止命令而导通，并且将从终止电压生成单元输入的终止电压提供给存储单元阵列的多个内部节点。

相关申请的交叉引用

本申请要求2018年10月8日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10-2018-0119625的优先权，其公开内容通过引用整体结合于此。

技术领域

本发明构思的示例性实施例涉及能够在动态随机存取存储器(DRAM)的操作终止时稳定内部电压的内部电压稳定装置、包括内部电压稳定装置的半导体存储装置、以及驱动半导体存储装置的方法。

背景技术

对于动态随机存取存储器(DRAM)的连续操作，内部节点的电压被设置为在施加电源时具有初始值。当DRAM的操作终止时，电荷保留在电源电容器中。然而，不对电源电容器中剩余的电荷进行单独处理以稳定内部电压。随着DRAM设计规则的减少和模式的小型化，由于在DRAM的操作终止之后电源电容器中剩余的电荷，可能发生操作错误和意外问题。

发明内容

根据本发明构思的示例性实施例，半导体存储装置包括存储单元单位和内部电压稳定装置。其中，所述存储单元单位包括：行译码器，被配置为对行地址信号进行译码并产生多个字线选择信号；列译码器，被配置为对列地址信号进行译码并生成多个列选择信号；以及存储单元阵列，包括连接在多个字线和多个位线之间的多个存储单元。内部电压稳定装置包括：操作终止确定单元，被配置为基于外部输入电压确定半导体存储装置的操作是否终止，并当确定操作终止时输出操作终止命令；终止电压生成单元，被配置为基于操作终止确定单元的操作终止的确定结果来生成具有预设电压值的终止电压；以及开关单元，包括多个开关，所述多个开关响应于所述操作终止命令而导通，并且被配置为将从所述终止电压生成单元输入的所述终止电压提供给所述存储单元阵列的多个内部节点。

根据本发明构思的示例性实施例，半导体存储装置包括：存储单元阵列，包括多个存储单元；写路径单元，连接到存储单元阵列；数据输入单元，连接到写路径单元；和内部电压稳定装置，被配置为基于外部输入电压确定半导体存储装置的操作是否终止，当确定操作终止时产生具有预设电压值的终止电压，并提供终止电压到存储单元阵列的多个内部节点。

根据本发明构思的示例性实施例，半导体存储装置包括：存储单元阵列，包括多个存储单元；和内部电压稳定装置，被配置为基于外部输入电压确定半导体存储装置的操作是否终止，当确定操作终止时产生具有预设电压值的一个终止电压，并提供所述一个终止电压到存储单元阵列的多个内部节点。其中存储单元阵列包括多个输入线，用于输入所述一个终止电压。和内部电压稳定装置包括：操作终止确定单元，被配置为确定半导体存储装置的操作是否终止并当确定操作终止时输出操作终止命令；终止电压生成单元，被配置为根据输入于此的电压模式调整一个终止电压的值；以及开关单元，包括多个开关，所述多个开关响应于所述操作终止命令而导通，并且被配置为将所述一个终止电压输出到所述存储单元阵列的所述多个内部节点。

附图说明

图1是示出根据本发明构思的示例性实施例的半导体存储装置的图。

图2是用于描述在存储装置的操作终止之后电压保留在内部节点中的情况的图。

图3是示出根据本发明构思的示例性实施例的图1的操作终止确定单元的图。

图4A是示出根据本发明构思的示例性实施例的使用内部电压输出终止电压的示例的图。